半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)如何解決芯片靜態(tài)功耗測(cè)試痛點(diǎn)？

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　　在芯片的眾多測(cè)試項(xiàng)目中芯片的功耗測(cè)試可謂重中之重，因?yàn)樾酒�的功耗不僅關(guān)系著芯片的整體工作性能也對(duì)芯片的效率有著非常重大的影響。芯片的功耗測(cè)試包括動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。
　　芯片靜態(tài)功耗是什么?
　　芯片的靜態(tài)功耗也叫做芯片靜態(tài)電流，它是芯片測(cè)試中的非常重要的指標(biāo)之一，可以直接決定芯片的整體消耗與工作效率，過大的靜態(tài)電流會(huì)導(dǎo)致芯片效率低下，減少芯片的使用壽命同時(shí)影響芯片的整體性能，因此對(duì)于同一款芯片來說靜態(tài)功耗越小，芯片的質(zhì)量測(cè)越好。
　　芯片靜態(tài)功耗如何產(chǎn)生?
　　芯片靜態(tài)功耗是由芯片內(nèi)部的晶體管的漏電流和互偶效應(yīng)等因素共同影響而產(chǎn)生的。當(dāng)晶體管關(guān)閉時(shí)，漏電流仍然存在，這就是造成靜態(tài)功耗的主要原因。此外，芯片內(nèi)部的不同模塊之間交互作用也會(huì)導(dǎo)致靜態(tài)功耗的增加。
　　芯片靜態(tài)功耗的大小有什么影響?
　　芯片靜態(tài)功耗的大小是由制造工藝、器件參數(shù)以及芯片結(jié)構(gòu)等因素綜合決定的。制造工藝的不同會(huì)導(dǎo)致晶體管的大小和電流特性的差異，從而影響芯片的靜態(tài)功耗。為了減小芯片的靜態(tài)功耗，通常可以通過采用CMOS工藝進(jìn)行制造、優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)布局、減少晶體管使用數(shù)量等方法。

　　半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)助力解決靜態(tài)功耗測(cè)試痛點(diǎn)
　　目前市場(chǎng)上的測(cè)量方法是手動(dòng)測(cè)量采集芯片的電壓和電流，然后得出芯片的平均功耗或者靜態(tài)功耗。不過這種測(cè)試方法只能針對(duì)小批量同規(guī)格的芯片，因?yàn)槭謩?dòng)測(cè)試中的采集電路精度不夠高，人為采集會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)漏等原因，會(huì)產(chǎn)生一定的測(cè)試誤差，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果均為平均值或估值。
　　所以對(duì)于大批量測(cè)試和要求精度高的企業(yè)來說還是需要自動(dòng)的芯片測(cè)試系統(tǒng)，納米軟件半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)只需將測(cè)試儀器和芯片連接好之后，運(yùn)行軟件即可完成靜態(tài)功耗的測(cè)量，不同參數(shù)的配置與儀器操作完全由軟件完成，無需人工修改參數(shù)與讀取記錄數(shù)據(jù)，可以一次對(duì)多個(gè)芯片進(jìn)行同時(shí)測(cè)量，測(cè)試的效率與精度相比與手動(dòng)測(cè)試來說有極大的提升。此外數(shù)據(jù)自動(dòng)采集與分析功能，也可以免去人工紙質(zhì)報(bào)告的記錄與分析，避免出現(xiàn)人工錯(cuò)漏，也極大的減少了人力與時(shí)間成本，從而提升企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。更多詳情可了解：https://www.namisoft.com/Softwarecenterdetail/1220.html