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11月30日消息，據國外媒體報道，就像城市規劃者試圖讓更多居民住進一個街區一樣，芯片制造商都在談論如何通過向上堆疊而不是將電路弄得越來越密集來改善他們的產品。IBM和美光科技公司計劃攜手將這一概念商業化。這一想法的基本理念是將芯片層層疊起，和傳統上將一個系統中的半導體聯系在一起的做法相比，新方法將用到更多且速度更快的數據通路。支持者認為，將芯片堆疊起來的做法除了節省空間，還能達到類似于立體電路塊的效果。 IBM已經在和多位合作伙伴完善這一概念。美光科技公司也是如此。IBM在自己的工廠內生產微處理器，并向其它廠商提供芯片制造服務。而美光科技公司是美國僅剩的一家還在生產被稱為動態隨機存取內存（DRAMs）芯片的企業。 兩家公司合作之后，美光科技公司將稍稍改變部分內存芯片的設計，移除通常連接內存芯片和其它芯片的電路。這部分功能基本上將由一塊特殊的IBM芯片取代。這塊IBM芯片將位于底層，其上方可能堆疊四或八塊美光的內存芯片。 按照新方法，數據將利用名為“穿透硅通孔”的通路垂直穿過堆疊的芯片，而不是像原來那樣通過包裝外部的標準接線從芯片邊緣接受信號進行通訊。兩家公司說，按照這種方法設計的原型芯片每秒能傳輸128G左右的數據，這一速度大約比目前的內存芯片快了十倍。 IBM的研究人員艾耶（Subu Iyer）說，這種芯片能帶給你非常高的帶寬。 兩家公司說，這種方法所需能源和空間較少。IBM計劃在紐約州費舍基爾（Fishkill）東部的工廠制造這種芯片會使用到的零部件，而美光科技公司將自己生產動態隨機存取內存。兩家公司表示，合作的產品預計將于2012年下半年開始出貨。 |
