Everspin MRAM不影響系統性能下取代nvSRAM

發布時間：2023-7-25 17:01 發布者：英尚微電子

關鍵詞： nvSRAM , MRAM , Everspin

nvSRAM使用傳統的捕獲電荷技術進行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導致數據損耗，因此數據可能會泄漏。
Everspin代理英尚微提供的MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。nvSRAM是通過將標準的6晶體管SRAM與每個單元中的非易失性EEPROM存儲元件相結合來構建的。單元的總復雜性為12個晶體管。Everspin MRAM是使用一個簡單得多的1晶體管、1磁性隧道結單元構建的。簡單的Everspin MRAM單元提高了制造效率和可靠性。
nvSRAM的可靠性不僅取決于存儲器芯片，還取決于外部VCAP電容器的質量。必須仔細選擇電容器，以確保可靠的功率排序。
MRAM將磁性隧道結技術用于非易失性存儲器。數據在高溫下不會泄漏，并且在該技術中沒有限制讀取、寫入或電源循環次數的磨損機制。125℃條件下的數據保留期優于20年。
使用MRAM的每次寫入都是即時非易失性的，至少持續20年。不存在從易失性存儲器單元到非易失性存儲單元的數據傳輸，也不存在外部電容器或備用電池。消除了外部組件、高度可靠的數據保留和35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時間，使Everspin MRAM成為在不影響系統性能的情況下取代nvSRAM的可行候選者。

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