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2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代！繼爾必達(dá)跳過50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競爭力有十足把握；在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競爭更激烈。 雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是46納米制程，海力士轉(zhuǎn)進(jìn)44納米制程，但存儲器業(yè)者透露，兩大廠轉(zhuǎn)換的速度是雷聲大雨點(diǎn)小，傳出良率不如預(yù)期，因此量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)延后，也凸顯40納米世代的困難度，連老大哥都有不少難題要克服，因此2010年DRAM產(chǎn)業(yè)號稱要以制程演進(jìn)增加產(chǎn)出，恐怕位元成長率會不如預(yù)期。 值得注意的是，這次的40納米世代大戰(zhàn)，爾必達(dá)和美光都不會缺席，且在轉(zhuǎn)換的時(shí)間點(diǎn)上相當(dāng)接近。繼爾必達(dá)和盟友力晶、瑞晶表示2010年要跳過50納米制程，直接轉(zhuǎn)45納米制程后，美光陣營的華亞科和南亞科也宣布42納米制程提前1季投產(chǎn)，將在年中轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程。 華亞科總經(jīng)理高啟全表示，由于50納米制程階段，3家公司就已經(jīng)開始用Immersion機(jī)臺，因此轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程的資金花費(fèi)相對較少，且技術(shù)門檻相對較低，華亞科的計(jì)畫是2010年中42納米制程試產(chǎn)，年底通過認(rèn)證，2011年42納米制程進(jìn)入大量，而下半年將會有50納米制程打前鋒。 華亞科也強(qiáng)調(diào)，美光的50納米制程是正統(tǒng)且完整個(gè)1個(gè)世代技術(shù)，并非制程微縮下的產(chǎn)物，因此對成本結(jié)構(gòu)相當(dāng)有信心，預(yù)計(jì)3月開始大量投50納米，預(yù)計(jì)10月旗下13萬片產(chǎn)能可全數(shù)轉(zhuǎn)換到50納米制程，屆時(shí)全數(shù)產(chǎn)出為2Gb DDR3產(chǎn)品。 爾必達(dá)的42納米制程在2009年底宣布量產(chǎn)，瑞晶將在2010年第2季導(dǎo)入，力晶也表示，日前已和爾必達(dá)、瑞晶共同采購Immersion機(jī)臺，為轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程做暖身。 DRAM 業(yè)者表示，爾必達(dá)2010年省略50納米，直接跳到45納米世代，技術(shù)層次上算相當(dāng)厲害，但短期要面臨兩個(gè)問題，第1是現(xiàn)有的65納米技術(shù)不能做2Gb的 DDR3，第2是跳躍世代的技術(shù)導(dǎo)入，過去DRAM廠從未有此經(jīng)驗(yàn)，因此良率和技術(shù)是否能順利銜接，同業(yè)都相當(dāng)好奇。 DRAM業(yè)者指出，隨著爾必達(dá)和美光在40納米世代上趕上進(jìn)度，與三星和海力士的距離更加縮小，年底4大DRAM陣營可望回到同1個(gè)競爭起點(diǎn)，其中美光打著正統(tǒng)50、40納米旗子，遇上爾必達(dá)這個(gè)擅長制程微縮的大軍，兩陣營廝殺會更加激烈。 |
