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—采用最新一代工藝，可提供低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)展的安全工作區(qū)— 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 
TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴(kuò)展了76%[3]，使其適合線性模式工作。而且降低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。 新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。 未來，東芝將繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗來提高電源效率，并幫助降低設(shè)備功耗。 應(yīng)用 - 數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源 - 開關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等） 特性 - 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V） - 寬安全工作區(qū) - 高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃ 主要規(guī)格 （除非另有說明，Ta＝25℃）
[1] 在設(shè)備運(yùn)行時(shí)，在不關(guān)閉系統(tǒng)的情況下導(dǎo)通和關(guān)斷系統(tǒng)部件的電路。 [2] 截至2023年6月的東芝調(diào)查。 [3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48V 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： TPH3R10AQM https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TPH3R10AQM.html 如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： MOSFET https://toshiba-semicon-storage. ... roduct/mosfets.html 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： TPH3R10AQM https://toshiba-semicon-storage. ... eck.TPH3R10AQM.html | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
