深圳市明佳達(dá)電子/星際金華（回收、供應(yīng)）SCTL90N65G2V、SCTL35N65G2V（650V）碳化硅功率MOSFET器件，如有需求，請聯(lián)系陳先生qq 1668527835 洽談。
產(chǎn)品詳情： 該碳化硅功率MOSFET將寬禁帶材料的先進(jìn)性和可靠性引入到更廣泛的節(jié)能應(yīng)用中，如用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高效驅(qū)動(dòng)器、電源和智能電網(wǎng)設(shè)備的逆變器。從650V到1700V的擴(kuò)展電壓范圍使其具有出色的開關(guān)性能，以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo)，從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。與硅MOSFET相比，SiC MOSFET的開關(guān)損耗更低，且隨溫度的變化更小。 特性： 汽車級(jí) (AG) 設(shè)備 超高溫處理能力（最大TJ=200°C） 非常低的開關(guān)損耗（隨溫度變化最小），允許在超高開關(guān)頻率下工作 溫度范圍內(nèi)的低導(dǎo)通電阻 易于驅(qū)動(dòng) 非常快速和強(qiáng)大的本體二極管 SCTL90N65G2V 器件規(guī)格： FET 類型：N 通道 技術(shù)：SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）：650 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：24 歐姆 @ 40A，18V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V Vgs（最大值）：+22V，-10V 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：935W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat™（8x8）HV 封裝/外殼：8-PowerVDFN SCTL35N65G2V 技術(shù)參數(shù)： FET 類型：N 通道 技術(shù)：SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）：650 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc） 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V Vgs（最大值）：+22V，-10V 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：417W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat™（8x8）HV 封裝/外殼：8-PowerVDFN 基本產(chǎn)品編號(hào)：SCTL35 應(yīng)用： 太陽能逆變器，UPS 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源 注：本文部分內(nèi)容與圖片來源于網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸原作者所有。如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除！ |
