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隨著全球電動(dòng)車市場(chǎng)的快速發(fā)展，越來越多車用半導(dǎo)體大廠紛紛投入開發(fā)相關(guān)的應(yīng)用，其中電動(dòng)車EV充電樁是不可或缺的周邊設(shè)備，就像燃油車需要加油站一樣，必須提高EV充電樁的布建密度才能因應(yīng)電動(dòng)車的發(fā)展。 然而，EV充電樁的用電量動(dòng)輒高達(dá)數(shù)百KW，若沒有考慮到用電品質(zhì)及效率，勢(shì)必會(huì)造成另外一個(gè)電力供應(yīng)問題。本文系介紹安森美電動(dòng)車EV充電樁解決方案，主要整合第三代半導(dǎo)體(1200V , SiC MOSFET)及隔離驅(qū)動(dòng)IC，應(yīng)用在600V~900VDC(Max) 及6KW輸出的EV充電樁。 ►場(chǎng)景應(yīng)用圖
Electric Car Automobile Carsharing - Free photo on Pixabay-pixabay.com ►產(chǎn)品實(shí)體圖Pixabay-Pixabay ►展示板照片►方案方塊圖 ►核心技術(shù)優(yōu)勢(shì) 1. NTBG022N120M3S(1200V,SiC MOSFET) 安森美第三代半導(dǎo)體碳化硅MOSFET : NTBG022N120M3S是1200V SiC MOSFET , Rds_on (Max)=30mohm@18V(Vgs)，具有極低的Gate Charge Qg(tot)=151nC 及容抗Coss=146 pF，適合應(yīng)用在高電壓，大電流及高速切換的操作條件，Vgs (閘源極) 最大電壓范圍為-10/+22V，建議Vgssop操作電壓-3/+18V。 2. NCD57084(Isolated IGBT Gate Driver IC) 安森美IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)IC： NCD57084具有高驅(qū)動(dòng)電流(+7A/-7A)及2.5KVrms 內(nèi)部電氣隔離電壓，另外配備DESAT Pin 偵測(cè)IGBT 短路故障，相關(guān)功能如下示： a. 具有可程式設(shè)計(jì)延遲的DESAT保護(hù) b. 負(fù)電壓（低至 −9 V）能力，適用于 DESAT c. 短路期間的IGBT柵極箝位 d. IGBT柵極有源下拉 e. IGBT短路期間軟關(guān)斷(Soft Turn-off) f. 嚴(yán)格的UVLO 準(zhǔn)位，實(shí)現(xiàn)偏差Bias靈活性 g. UVLO/DESAT期間的輸出部分脈沖回避（重新啟動(dòng)） h. 3.3 V、5 V和15 V邏輯電壓準(zhǔn)位輸入 i. 2.5 kVrms 電壓 j. 高瞬態(tài)抗擾度 k. 高電磁抗擾度 3. 高效率輔助電源及DC-DC 轉(zhuǎn)換器： 在此開發(fā)板中，一次側(cè)驅(qū)動(dòng)電路是由外部電源提供，規(guī)格為12V/1A，二次側(cè)由NCV3064 IC組成高效率輔助電源，提供+12V~+18V , -3.5Vdc電壓供驅(qū)動(dòng)電路使用。 ►方案規(guī)格 輸入電壓 : 600 V to 800 VDC (最大可允許900VDC)； 輸出功率 : 6KW； 輸出電壓：600V； 輸出電流 : 10A； 操作頻率：50KHZ； ► 技術(shù)文檔 點(diǎn)擊鏈接即可獲取：https://www.wpgdadatong.com/reurl/QBziii 以上內(nèi)容來源大大通官網(wǎng)，如有任何疑問都可上大大通進(jìn)行提問~ |
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