具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等

6500V 的MOS 好

碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913

具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率

1700v 3300v SICMOS

實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。

碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 電子工程網(wǎng)  http://m.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html

寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率 頂！

碳化硅MOS晶圓

碳化硅SiC MOSFETs功率管柵極驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)知識(shí) - 電子工程網(wǎng)  http://m.qingdxww.cn/thread-825360-1-1.html

碳化硅MOS管-SiC MODULE產(chǎn)品技術(shù)應(yīng)用簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS

3300V 的

3300V碳化硅MOS業(yè)界領(lǐng)先的國(guó)產(chǎn)（SiC）功率器件 - 無(wú)源器件/分立半導(dǎo)體 - 電子工程網(wǎng)  http://m.qingdxww.cn/thread-857169-1-1.html

碳化硅模塊（SiC模塊/MODULE）大電流下的驅(qū)動(dòng)器研究 - 電源技術(shù) - 電子工程網(wǎng)  http://m.qingdxww.cn/thread-856725-1-1.html

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)及SiC柵極驅(qū)動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng)  http://m.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html