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Netsol MRAM非易失存儲芯片是數據記錄應用的優選

發布時間:2023-3-22 17:24    發布者:英尚微電子
關鍵詞: Netsol MRAM , MRAM
    數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。
    –系統內外部發生的事件
    –使用歷史
    –環境參數
    –機器狀態
    –用于分析目的的其他數據

    因需要持續、反復地保存數據,內存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優勢包括:與SRAM不同,無需電壓控制器、電池及電池插座;與nvSRAM不同,無需電容器;寫入速度快;近乎無限的耐用性(100兆次的寫入次數);斷電即時數據備份。

    Netsol MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說,是最合適的內存。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。

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