國產碳化硅SiC模塊（丹弗斯DCM1200V800A）ASC800N1200DCS12。特點：
ASC800N1200DCS12.pdf
(1.25 MB)
DCS12模塊特點:1. 采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃； 2. 功率密度高，適用高溫、高頻應用，超低損耗； 3. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。 |
| 適用高溫、高頻應用，超低損耗 |
| 國產模塊 DCM/1200V800A |
| 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成 |
| 國產碳化硅SiC模塊ASC800N1200DCS12 |
| 碳化硅技術的優勢：效率得到提升，節省空間、重量減輕，零件數量減少，系統可靠性增強。 |
| 全碳SiC模塊 |
| 效率得到提升，節省空間、重量減輕，零件數量減少，系統可靠性增強。 |
| DCS12模塊優化水道結構設計，在提升散熱效率降低熱阻的同時，提升系統可靠性 |
| 采用單面水冷 |
| 效率得到提升，節省空間、重量減輕，零件數量減少 |
| SiC MOSFET柵極驅動器示例 - 電子工程網 http://m.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
| 頂起—————頂起 |
| 碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 - 電子工程網 http://m.qingdxww.cn/thread-821142-1-1.html |
| https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=Mzk0MjY3NzA1NQ==&mid=2247483927&idx=1&sn=689db016cd3284ac0febb5542ad7b412&chksm=c33ecf47f4494651675ab36d612dda056c013cd50ba75d8e42c757394904e5505c8143dd4c71#rd |
| 碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網 http://m.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
