ASC300N1200MEP2B碳化硅模塊(Easy 2B)特點 1. 采用先進的真空回流焊工藝,Al2O3絕緣陶瓷,最高工作結溫150℃; 2. 高功率密度,低寄生電感,低開關損耗; 3. 適用高溫、高頻應用; 4. 集成NTC溫度傳感器,易于系統(tǒng)集成。 |
集成NTC溫度傳感器,易于系統(tǒng)集成。 |
SICMOS管 ,sic模塊車載OBC,光伏逆變,風能等新能源行業(yè)大量采用 |
碳化硅(SiC)現(xiàn)在作為一種成熟的技術,在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè),覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領域。 |
SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點是開關頻率高、導通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡單。 |
碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr |
FF6MR12W2M1P_B11 拼to拼 |
高功率密度,低寄生電感,低開關損耗 |
碳化硅MOS柵極驅動原理圖http://m.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
頂起 |
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場強度、高電流密度、快速開關速度、低導通電阻和抗輻射性能等獨特特點,在電子器件領域有著廣泛的應用。 |
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 - 無源器件/分立半導體 - 電子工程網(wǎng) http://m.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html |