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來源：IT之家 芯片制造的核心設備則是光刻機。光刻機通過發光將光掩膜上的圖形投射在硅片上，制作成芯片。隨著芯片精密程度越來越高，光刻機在硅晶圓上制造出半導體芯片的前道工藝之后，為保護芯片不受外部環境的影響，還需要先進的封裝工藝，這一階段被稱為后道工藝。 在后道工藝中，高密度的先進封裝不僅對精細布線要求高，而且還需要通過多個半導體芯片緊密相連的 2.5D 技術 及半導體芯片層疊的 3D 技術來實現。 為此，佳能將于 2023 年 1 月上旬發售半導體光刻機新產品 ——i 線步進式光刻機“FPA-5520iV LF2 Option”，通過半導體芯片層疊而實現高性能的 3D 技術，滿足客戶多樣化、高性能需求的同時，助力客戶降本增效。 
為了減少投射光學系統的像差，新產品首次將應用于前道工藝光刻機的校正非球面玻璃搭載在后道工藝的光刻機上。與以往機型“FPA-5520iV LF Option”相比，新產品的像差可控制至四分之一以下，更平順地實現 shot 間的拼接。
變像像差的改善（示意圖） 同時新產品對均質器進行改良，能夠提升照明光學系統的照度均一性，實現 52×68 mm 大視場中 0.8μm（微米）的超高解像力。此外，新產品能夠通過四個 shot 的拼接曝光，實現 100×100mm 以上的超大視場，從而實現 2.5D 和 3D 技術相結合的超大型高密度布線封裝的量產，進一步推動 3D 封裝技術的發展。
曝光視場示例 IT之家了解到，新產品繼承了半導體光刻機“FPA-5520iV”的多項基本性能。例如可以靈活應對再構成基板翹曲等在封裝工藝中對量產造成阻礙的問題，以及在芯片排列偏差較大的再構成基板上測出 Alignment mark，從而提高生產效率。 ● 新產品繼承了“FPA-5520iV”中實現的基本性能。 ● 新產品搭載了應對較大翹曲問題的基板搬運系統，可靈活應對目前應用于移動終端封裝的主流技術 ——FOWLP※6 中存在的再構成基板出現較大翹曲的問題，這一問題也是實現量產的阻礙。 ● 新產品搭載了大視野 Alignment scope，針對芯片排列偏差較大的再構成基板，也可以測出 Alignment mark。 ● 新產品可適用于以芯片為單位進行定位并曝光的 Die by Die Alignment 技術。
什么是半導體制造的后道工藝 在半導體芯片的制造工藝中，半導體光刻機負責“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工藝中，在硅晶圓上制造出半導體芯片的工藝稱為前道工藝。另一方面，保護精密的半導體芯片不受外部環境的影響，并在安裝時實現與外部的電氣連接的封裝工藝稱為后道工藝。 |
