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來(lái)源：快科技 今天的財(cái)報(bào)會(huì)上，臺(tái)積電不僅公布了Q3季度業(yè)績(jī)，同時(shí)也透露了最新的工藝進(jìn)展，3nm工藝的需求已經(jīng)超過(guò)了預(yù)期，明年會(huì)滿載量產(chǎn)，而2nm工藝也進(jìn)度喜人，2025年量產(chǎn)。 臺(tái)積電在6月份正式公布了2nm工藝，并透露了一些技術(shù)細(xì)節(jié)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。 不過(guò)在晶體管密度上，2nm工藝的提升就不那么讓人滿意了，相比3nm只提升了10%，遠(yuǎn)低于以往至少70%的晶體管密度提升，這可能是臺(tái)積電首次在2nm工藝上放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管所致，第一代工藝會(huì)保守一些。 根據(jù)臺(tái)積電CEO魏哲家的說(shuō)法，2nm工藝的進(jìn)展很順利，甚至超過(guò)預(yù)期，不過(guò)他們現(xiàn)在的計(jì)劃依然是2025年量產(chǎn)，沒(méi)打算提前。 臺(tái)積電的2nm工藝應(yīng)該還是會(huì)由蘋(píng)果首發(fā)，今年的A16是4nm，明年的A17及后年的A18應(yīng)該都是3nm，2025年的A19芯片才有可能用上2nm工藝。 |
