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產品概述 LMG3410R070 GaN功率級提供新的方式讓電子系統實現更高水平的功率密度和效率，能夠支持圖騰柱PFC等高密度、高效的拓撲結構。其擁有的一系列獨特特性可簡化設計，最大限度地提高可靠性和優化任何電源的性能，是取代傳統共源共柵GaN和獨立GaN FET的明智之選。這些獨特的特性包括一個集成的柵極驅動（支持100V/ns開關，Vds振鈴幾乎為零）、一個100ns限流裝置（擁有自我保護功能，可防止意外擊穿事件），以及系統接口信號（具有自我監測能力）。 LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率級具有集成驅動器和保護功能，相較硅MOSFET具有更大優勢。這些包括超低輸入和輸出電容。特性包括零反向恢復，開關損耗降低高達80%，開關節點振鈴低，從而降低EMI。 特征 TI GaN工藝通過了應用中的硬開關任務可靠性加速測試 支持高密度電源轉換設計 通過共源共柵或獨立GaN FET提供出色的系統性能 低電感8mmx8mm QFN封裝，易于設計和布局 可調驅動強度，用于開關性能和EMI控制 數字故障狀態輸出信號 只需要+12V非穩壓電源 集成式柵極驅動器 零公共源電感 mHz運行傳播延遲為20ns 可通過工藝調整柵極偏置電壓，提高了可靠性 用戶可調轉換率：25V/ns至100V/ns 強大的保護功能 無需外部保護元件 過流保護 轉換率抑制：>150V/ns 瞬態過壓抑制 過熱保護 對所有電源軌的UVLO保護 參數：LMG3410R070RWHR 電源開關/驅動器 P通道 12A 開關類型：負載開關 輸出數：1 比率 - 輸入:輸出：1：1 輸出配置：高端 輸出類型：P 通道 接口：邏輯，PWM 電壓 - 負載：480V（最大） 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：9.5V ~ 18V 電流 - 輸出（最大值）：12A 導通電阻（典型值）：70 毫歐 輸入類型：非反相 特性：自舉電路，5V 穩壓輸出 故障保護：過流，超溫，UVLO 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：32-VQFN（8x8） 封裝/外殼：32-VQFN 裸露焊盤 基本產品編號：LMG3410R070 明佳達電子/星際金華供求工業電機驅動器LMG3410R070RWHR 70mΩ GaN功率級。 注：本文部分內容與圖片來源于網絡，版權歸原作者所有。如有侵權，請聯系刪除！ |
