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可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

發布時間:2022-6-30 17:10    發布者:英尚微電子
Everspin MRAM解決方案供應商推出了用于工業物聯網嵌入式系統的EMxxLX xSPI MRAM非易失性存儲器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存的方案,其讀寫速度可以高達400MB/s,存儲容量在8Mbit和64Mbit之間。

Everspin此款新xSPI產品系列基于擴展的串行外設接口,這是用于非易失性存儲設備的最新 JEDEC 標準。提供高性能、多 I/O、SPI 兼容性,并具有高速、低引腳數 SPI 兼容總線接口,時鐘頻率高達200 MHz。這些持久性內存 MRAM 設備在單個 1.8V 電源上運行,并通過八個 I/O 信號提供高達 400MBps 的讀取和寫入速度。更多產品相關資料咨詢Everspin代理英尚微電子

xSPI MRAM的主要亮點是400MB/s的讀寫速度,因為這個速度是NOR或NAND等閃存設備的數倍,在寫入方面甚至更高。該產品的其他好處,比如:在編程之前無需擦除、高效寫入(比NAND 低10倍,比NOR低200倍),以及可以兼容舊軟件的NOR閃存模式。

xSPI MRAM和SPI NOR NAND閃存對比


xSPI MRAM開啟了通用存儲器應用解決方案的新紀元,取代了 SRAM、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR器件等產品,面向工業自動化、過程控制、仿真、汽車和運輸、游戲以及更廣泛的工業物聯網市場。
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