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Everspin了解客戶在工業(yè)市場中對長期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術的固有耐用性通過避免使用其他非易失性存儲器技術所需的糾錯碼和磨損均衡方案來簡化和加速產(chǎn)品開發(fā)。 Everspin的16兆位非易失性存儲芯片MR4A16BMA35 MRAM專為需要極高數(shù)據(jù)可靠性和速度的應用而設計，具有市場上最快的非易失性存儲器、對稱的讀/寫性能和無限的耐用性，使系統(tǒng)設計人員受益匪淺。這些內(nèi)存功能可確保自動化設計人員在每次發(fā)生電源中斷時都能確定性且安全地保留過程數(shù)據(jù)。除了性能之外，該技術還允許無電池生態(tài)設計。是一款適用于自動化控制器的存儲器芯片。 Everspin MR4A16BMA35R容量為16Mb，數(shù)據(jù)結(jié)構：1Mb*16，總線速度：35ns工作電壓：3.3V工作溫度：C,M（-0~+70攝氏度）16位并行總線接口，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。這款并行mram器件能夠在商業(yè)級（0至+70℃）、工業(yè)級（-40至+85℃）與擴展級（-40至+105℃）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力。MR4A16B采用48引腳球柵陣列(BGA)小型封裝和54引腳微小外形封裝(TSOPII)。Everspin代理英尚微電子供樣品測試及技術支持。 此款并口MRAM存儲器真正無限次擦除使用，最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間超過20年的非揮發(fā)特性，可取代多種存儲器，集閃存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身，采用MRAM取代電池供電的SRAM方案，解決了電池組裝、可靠性以及責任方面的問題。 |
