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來(lái)源: 澎湃新聞 臺(tái)積電3納米獲得重大突破。 4月12日，《聯(lián)合報(bào)》報(bào)道，一度因開(kāi)發(fā)時(shí)程延誤的臺(tái)積電3納米制程近期獲得重大突破。臺(tái)積電決定今年率先量產(chǎn)第二版3納米制程，命名為“N3B”。 據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電將于今年8月于新竹十二廠(chǎng)研發(fā)中心第八期工廠(chǎng)及南科十八廠(chǎng)P5廠(chǎng)同步投片，正式以鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，對(duì)決三星的環(huán)繞閘極（GAA）制程。 業(yè)界傳言，之前因開(kāi)發(fā)時(shí)程延誤，導(dǎo)致蘋(píng)果手機(jī)新一代處理器今年仍采用5納米加強(qiáng)版N4P。 臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》報(bào)道，目前臺(tái)積電初步規(guī)劃新竹工廠(chǎng)每月產(chǎn)能約1萬(wàn)至2萬(wàn)片，臺(tái)南工廠(chǎng)產(chǎn)能為1.5萬(wàn)片。 今年1月份，臺(tái)積電總裁魏哲家在法人說(shuō)明會(huì)上表示，臺(tái)積電3納米制程進(jìn)展符合預(yù)期，將于今年下半年量產(chǎn)，客戶(hù)也比預(yù)期多。同時(shí)，他還指出，3納米制程將主要應(yīng)用于高效應(yīng)運(yùn)算及智能手機(jī)領(lǐng)域，預(yù)期3納米將是繼5納米之后，另一大規(guī)模世代制程。 今年第一季度，臺(tái)積電營(yíng)收同比增長(zhǎng)35.5%至4910.8億新臺(tái)幣，創(chuàng)下歷史新高。 |
