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德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應(yīng)用，其中包括臺式個人計算機(jī)、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。 DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢： • 作為單相35A 同步降壓轉(zhuǎn)換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應(yīng)用中的高、低側(cè)兩種開關(guān)需求； • 增強(qiáng)型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%； • 高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設(shè)計人員無需增加終端設(shè)備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動的處理器； • 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設(shè)計、降低成本，與使用兩個標(biāo)準(zhǔn)5x6封裝相比，可節(jié)省 30mm2的空間。 供貨情況 DualCool NexFET 器件現(xiàn)已開始批量供貨。此外，還提供樣片與應(yīng)用手冊。 通過以下鏈接查閱有關(guān) TI NexFET MOSFET 與其它功率產(chǎn)品的更多信息： • 訂購 NexFET 評估板與樣片：www.ti.com.cn/mosfet-dcprcn ； • DualCool NexFET 功率 MOSFET 的視頻演示：www.ti.com.cn/dualcool-prvcn ； • 了解針對 NexFET 技術(shù)而優(yōu)化的 DC-DC 控制器：www.ti.com.cn/tps40303-prcn 、www.ti.com.cn/tps40304-prcn 、www.ti.com.cn/tps40305-prcn ； |
