《華爾街日報》近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設計獲得半導體類別創(chuàng)新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結構代表著從2-D平面晶體管結構的根本性轉變。這項革命性成果，其關鍵在于英特爾能夠把全新的3-D三柵極晶體管設計投入批量生產(chǎn)，開啟了摩爾定律的又一個新時代，并且為各種類型的設備的下一代創(chuàng)新打開了大門。
《華爾街日報》在2011年科技創(chuàng)新獎的報告中，如此評價這項技術：“英特爾憑借3-D三柵極晶體管設計在半導體類別中拔得頭籌。3-D三柵極晶體管使得制造更小的半導體成為可能，在提高性能的同時降低了能耗。這家位于加州圣克拉拉的芯片巨頭預期將在年末投產(chǎn)采用這項新技術的處理器，首次將3-D三柵極晶體管設計投入大規(guī)模制造。這項技術將用于英特爾下一代產(chǎn)品Ivy Bridge中，而采用這款芯片的設備預計將在明年上市。” 3-D三柵極晶體管實現(xiàn)了晶體管的革命性突破。傳統(tǒng)“扁平的”2-D平面柵極被超級纖薄的、從硅基體垂直豎起的3-D硅鰭狀物所代替。電流控制是通過在鰭狀物三面的每一面安裝一個柵極而實現(xiàn)的(兩側和頂部各有一個柵極)，而不是像2-D平面晶體管那樣，只在頂部有一個柵極。更多控制可以使晶體管在“開”的狀態(tài)下讓盡可能多的電流通過(高性能)，而在“關”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近零(低能耗)，同時還能在兩種狀態(tài)之間迅速切換(這也是為了達到高性能)。與之前的32納米平面晶體管相比，22納米3-D三柵極晶體管在低電壓下將性能提高了37%，而全新的晶體管只需消耗不到一半的電量，就能達到與32納米芯片中2-D平面晶體管一樣的性能。 3-D三柵極晶體管將在英特爾下一代22納米制程技術中采用。 |
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今天參加了Xilinx的發(fā)布會，它們將發(fā)布28nm的堆疊 Vertex-7，也就是把傳統(tǒng)的兩維芯片疊起來。 英特爾的這個則不同。它的晶體管本身是三維的，但集成多個這樣的晶體管應該還是二維方向的。不論怎么做，目標都是提高性能、降低功耗。 |
