《華爾街日報》近日公布2011年“科技創新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設計獲得半導體類別創新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結構代表著從2-D平面晶體管結構的根本性轉變。這項革命性成果，其關鍵在于英特爾能夠把全新的3-D三柵極晶體管設計投入批量生產，開啟了摩爾定律的又一個新時代，并且為各種類型的設備的下一代創新打開了大門。
《華爾街日報》在2011年科技創新獎的報告中，如此評價這項技術：“英特爾憑借3-D三柵極晶體管設計在半導體類別中拔得頭籌。3-D三柵極晶體管使得制造更小的半導體成為可能，在提高性能的同時降低了能耗。這家位于加州圣克拉拉的芯片巨頭預期將在年末投產采用這項新技術的處理器，首次將3-D三柵極晶體管設計投入大規模制造。這項技術將用于英特爾下一代產品Ivy Bridge中，而采用這款芯片的設備預計將在明年上市。” 3-D三柵極晶體管實現了晶體管的革命性突破。傳統“扁平的”2-D平面柵極被超級纖薄的、從硅基體垂直豎起的3-D硅鰭狀物所代替。電流控制是通過在鰭狀物三面的每一面安裝一個柵極而實現的(兩側和頂部各有一個柵極)，而不是像2-D平面晶體管那樣，只在頂部有一個柵極。更多控制可以使晶體管在“開”的狀態下讓盡可能多的電流通過(高性能)，而在“關”的狀態下盡可能讓電流接近零(低能耗)，同時還能在兩種狀態之間迅速切換(這也是為了達到高性能)。與之前的32納米平面晶體管相比，22納米3-D三柵極晶體管在低電壓下將性能提高了37%，而全新的晶體管只需消耗不到一半的電量，就能達到與32納米芯片中2-D平面晶體管一樣的性能。 3-D三柵極晶體管將在英特爾下一代22納米制程技術中采用。 |
