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性能絕對過剩?DDR4內(nèi)存發(fā)展技術(shù)解析

發(fā)布時間:2011-10-10 17:10    發(fā)布者:Liming
關(guān)鍵詞: DDR4 , 內(nèi)存
我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展,已經(jīng)成為目前主流的選擇,而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133,明年 DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn),預計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳,可以達到4266的水平,是DDR3的兩倍。在很多人看來,內(nèi)存已經(jīng)很少給電腦性能帶來太大幫助,DDR4內(nèi)存是否性能過剩,成為末路黃花?目前還不好說,不管怎么樣,技術(shù)總是要向前發(fā)展的。


今天我們就看到國外媒體有討論DDR4內(nèi)存的發(fā)展。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進行了解。


現(xiàn)在Intel平臺內(nèi)存規(guī)格


DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢

此前JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會就正式宣布未來DDR4內(nèi)存標準的關(guān)鍵技術(shù),預計將會在2012年中,DDR4內(nèi)存將會具備更高的性能,并且功耗方面更低。
DDR4技術(shù)特性全面展示
D-DR4針對未來服務(wù)器、筆記本、臺式機、消費電子產(chǎn)品進行創(chuàng)新設(shè)計,并且具備諸多新的技術(shù)特性,首先傳輸率方面,DDR4將會有1.6 GT/s到3.2 GT/s的速度,而目前DDR3是是1.6 GT/s。同時DDR4還包括在DQ bus、更高的2667 Mhz數(shù)據(jù)傳輸率、Bank群組結(jié)構(gòu)以及集成VrefDQ和增強的訓練模式等等。

DDR4標準的技術(shù)規(guī)格

Bank群組結(jié)構(gòu)是個8n預取群組結(jié)構(gòu),它可以使用兩個或者四個Bank組,這允許DDR4內(nèi)存在每個Bank群組單獨被激活、讀取、寫入或刷新操作,這樣可以帶來更高的內(nèi)存小了和帶寬。
同時在電壓方面,DDR4也進行了調(diào)整,預計它的VDDQ電壓將會在1.2V,未來還會進一步下調(diào)。
除此之外還有以下特性將會被采用:
·提供三種數(shù)據(jù)寬度:x4, x8和x16
·新的JEDEC POD12接口標準(工作電壓1.2V)
·DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù))
·新的終止調(diào)度:在DDR4中DQ bus可以轉(zhuǎn)移終止到VDDQ,這樣可以即時VDD電壓降低的情況下也能保證穩(wěn)定
·正常和動態(tài)的ODT:改進ODT協(xié)議,并且采用新的Park Mode模式可以允許正常終結(jié)和動態(tài)吸入終結(jié),而不需要去驅(qū)動ODT Pin。
·突發(fā)長度和突發(fā)停止長度分別為8和4
· 數(shù)據(jù)遮掩
·DBI:可以降低功耗并且提升數(shù)據(jù)信號完整性
·新的數(shù)據(jù)總線CRC技術(shù),可以進行傳輸過程中的錯誤偵測,特別對非ECC內(nèi)存進行寫入操作時有幫助。
·針對命令和地址總線的新的CA奇偶校驗
·DLL關(guān)閉模式支持
為進一步推廣和采用DDR4標準,JEDEC打算在公布標準以后,舉辦DDR4 Technical Workshop會議,更多信息將會在以后正式公布。

DDR4和DDR3內(nèi)存結(jié)構(gòu)對比


DDR4內(nèi)存預計將在2012年發(fā)布,2015年取代DDR3


內(nèi)存速度發(fā)展方向

DDR4內(nèi)存功耗控制更合理
DDR4雖然性能提升了,不過在功耗方面,依然控制的比較理想,這給以后的筆記本等方案可以帶來更長的電池續(xù)航時間。

DDR3、DDR4內(nèi)存功耗對比DDR內(nèi)存數(shù)據(jù)



DDR4通過相應(yīng)技術(shù)降低待機和工作電流提供更長的電池續(xù)航時間


展望DDR4內(nèi)存發(fā)展契機
那么回到最初的話題,DDR4能夠給我們帶來真正的好處和實惠呢?

主流DRAM發(fā)展藍圖

很明顯,未來AMD“Graphics Core Next”GPU將具備X86內(nèi)存尋址特性,換句話說就是可以和CPU一樣調(diào)用系統(tǒng)內(nèi)存,CPU通過MMU內(nèi)存控制器訪問內(nèi)存,而GPU則是通過 IOMMU實現(xiàn)內(nèi)存調(diào)用。這種新技術(shù)允許系統(tǒng)設(shè)備在虛擬內(nèi)存中進行尋址,也就是將虛擬內(nèi)存地址映射為物理內(nèi)存地址,讓實體設(shè)備可以在虛擬的內(nèi)存環(huán)境中工作,這樣可以幫助系統(tǒng)擴充內(nèi)存容量,提升性能。所以未來將會受益于DDR4內(nèi)存的高帶寬特性。

同時AMD下一代GPU還具備64bit x86指針、Page fault、地址轉(zhuǎn)換緩存、分配內(nèi)存的功能,操作系統(tǒng)將會同時為CPU、GPU內(nèi)存調(diào)用全面服務(wù)。這樣高速內(nèi)存就顯得尤為重要了,否則就會給系統(tǒng)性能帶來很大瓶頸。

總的來看,DDR4內(nèi)存還是有它未來發(fā)展空間的,它的發(fā)展有賴于處理器、顯卡新技術(shù)的出現(xiàn),否則目前DDR3內(nèi)存已經(jīng)足夠使用。(文/硬派網(wǎng))
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