三星電子被控在微處理器和內存制造領域侵犯哈佛大學兩項專利

發布時間：2024-8-7 11:49 發布者：eechina

來源：IT之家

綜合《彭博法律》和路透社報道，哈佛大學本周一向美國得克薩斯州東區地方法院提交起訴書，指控三星電子在微處理器和內存制造領域侵犯了兩項專利。

IT之家從起訴書中了解到，哈佛大學化學系教授 Roy G. Gordon 等是這兩項專利的發明人，哈佛大學校方是這些專利的受讓人，擁有對應專利的完整權利。

這兩項專利涉及含鈷、鎢薄膜的沉積方法，分別名為“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”與“氮化鎢的氣相沉積”，哈佛大學稱“這種薄膜對于計算機和手機等眾多產品的關鍵部件至關重要”。

哈佛大學認為三星電子在代工高通驍龍 8 Gen 1 處理器等的過程中，侵犯哈佛大學同氮化鈷薄膜制備有關的專利，涉及三星 S22 智能手機等產品。

而三星在生產 LPDDR5X 等內存時，在未經授權的情況下實踐了哈佛大學鎢層沉積專利中至少一項權利要求的每個要素，三星的 Galaxy Z Flip5 折疊屏手機即使用了相關 LPDDR5X 內存產品。

哈佛大學在起訴書中要求三星電子停止侵權并支付未指明金額的金錢賠償。

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