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戰(zhàn)爭(zhēng)在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù)，而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說(shuō)，前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師，本文的讀者就是在這條“戰(zhàn)壕”中奮戰(zhàn)的人。這是一篇有關(guān)如何從中獲勝的文章。 寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體是邁向節(jié)能時(shí)代的關(guān)鍵所在。WBG半導(dǎo)體可以實(shí)現(xiàn)更大的能源效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的整體成本。英飛凌是一家提供硅 (Si) 、碳化硅 (SiC) 、絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 和氮化鎵 (GaN) 設(shè)備的公司。作為在碳化硅 (SiC) 技術(shù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域擁有超過(guò)20年歷史的知名電源供應(yīng)商，英飛凌推出的產(chǎn)品可以滿足人們對(duì)生成、傳輸和使用更智能、更高效能源的需求。他們還有多位專(zhuān)家，知道如何通過(guò)降低系統(tǒng)復(fù)雜性，來(lái)進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本和中小型高功率系統(tǒng)尺寸。 溝槽就是戰(zhàn)壕：CoolSiC™ 英飛凌的目標(biāo)是將碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 所具備的低RDS(on) 與安全氧化層場(chǎng)強(qiáng)條件下運(yùn)行的柵極驅(qū)動(dòng)器件結(jié)合起來(lái)。因此，英飛凌決定將溝槽型產(chǎn)品從缺陷密度較高的平面雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體 (DMOS) 設(shè)備轉(zhuǎn)向更有利的表面技術(shù)方向， 可在低氧化層場(chǎng)強(qiáng)下獲得低溝道電阻。這些邊界條件是利用硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域質(zhì)量保證方法的基礎(chǔ)，目的是保證工業(yè)甚至是汽車(chē)應(yīng)用中預(yù)期的故障率 (FIT)。因此，也就有了CoolSiC™產(chǎn)品。 在阻斷模式下，碳化硅產(chǎn)品運(yùn)行時(shí)的漏極感應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)要比對(duì)應(yīng)的硅產(chǎn)品高得多（MV級(jí)而不是kV級(jí)）。因此，處于導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)下氧化層中的這種高場(chǎng)強(qiáng)會(huì)加速磨損。對(duì)截止?fàn)顟B(tài)下氧化層的應(yīng)力，將采取深P區(qū)保護(hù)。對(duì)于導(dǎo)通狀態(tài)，則使用厚氧化層來(lái)規(guī)避限制，以篩除薄氧化層殘留的外部氧化層缺陷。CoolSiC™產(chǎn)品具有出色的可靠性、質(zhì)量、多樣性和系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。 CoolSiC™ MOSFET溝槽概念和優(yōu)勢(shì)包括： · 低溝道電阻 · 柵極氧化層中的安全電場(chǎng) · 抑制寄生導(dǎo)通 · 實(shí)現(xiàn)硬換向并提高浪涌電流的可靠性 · JFET區(qū)域限制短路電流 · RON簡(jiǎn)化了并行操作 · Rg控制，并且允許獨(dú)立的開(kāi)關(guān)速度 CoolSiC™ MOSFET和二極管 英飛凌650V、1200V、1700V CoolSiC™ MOSFET分立器件非常適合硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)洌▓D1）。CoolSiC™ MOSFET基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過(guò)優(yōu)化可提供最低應(yīng)用損耗和最高運(yùn)行可靠性。該分立式產(chǎn)品組合采用TO和SMD外殼，額定的導(dǎo)通電阻為27mΩ至1000mΩ。CoolSiC™溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)了靈活的參數(shù)設(shè)置，可用于在各個(gè)產(chǎn)品組合中實(shí)現(xiàn)特定于應(yīng)用的功能，這些特性包括柵-源極電壓、雪崩規(guī)格、短路能力或額定用于硬換向的內(nèi)部體二極管。 
圖1：采用TO-247封裝的650V CoolSiC™ MOSFET （資料來(lái)源：英飛凌） 英飛凌CoolSiC MOSFET采用分立封裝，適合用于硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)�，例如功率因�?shù)校正 (PFC) 電路、雙向拓?fù)浜椭绷?直流轉(zhuǎn)換器或直流-交流逆變器。即使橋接拓?fù)渲嘘P(guān)斷電壓為零時(shí)，出色的寄生導(dǎo)通抗擾度也可在低動(dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立基準(zhǔn)。同軸結(jié)構(gòu) (TO) 和表面貼裝 (SMD) 產(chǎn)品還引入了Kelvin源針腳，優(yōu)化了開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌CoolSiC™肖特基二極管具有相對(duì)較高的導(dǎo)通電阻和漏電流（圖2）。在SiC材料中，肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更高擊穿電壓。英飛凌的SiC肖特基產(chǎn)品組合包括600V和650V至1200V肖特基二極管。快速硅基開(kāi)關(guān)與CoolSiC肖特基二極管的組合通常被稱(chēng)為“混合”解決方案。
圖2：符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的CoolSiC™肖特基二極管 （資料來(lái)源：英飛凌） CoolSiC™ MOSFET模塊 帶有CoolSiC™MOSFET的功率模塊為逆變器設(shè)計(jì)人員提供了新的機(jī)會(huì)，讓他們可以實(shí)現(xiàn)前所未有的效率和功率密度（圖3）。同樣，碳化硅 (SiC) 可利用從45mOhm到2mOhm RDS(on)的拓?fù)浞秶鶕?jù)應(yīng)用需求量身定制。1200V SiC MOSFET模塊具有3級(jí)、雙組、四組、六組或升壓器等各種配置，可通過(guò)先進(jìn)的溝槽設(shè)計(jì)、出色的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的柵極氧化層可靠性。
圖3：CoolSiC™MOSFET Easy1B和Easy2B （資料來(lái)源：英飛凌） 結(jié)論 SiC MOSFET具有兩 (2) 種不同的結(jié)構(gòu)類(lèi)型：溝槽MOS和平面DMOS。英飛凌正在推動(dòng)卓越的溝槽技術(shù)，以期輕松應(yīng)用到所有應(yīng)用中，并在保持可靠性的同時(shí)降低功耗。英飛凌CoolSiC™性能卓越，并且是性能和質(zhì)量平衡的基準(zhǔn)。英飛凌的柵極氧化層篩選工藝確保了產(chǎn)品可靠性。 英飛凌碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二極管提供的產(chǎn)品組合可滿足對(duì)生成、傳輸和使用更智能、更高效能量的需求。CoolSiC產(chǎn)品組合可滿足客戶在中高功率系統(tǒng)中對(duì)減小系統(tǒng)尺寸和降低成本的需求，同時(shí)符合高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，可延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命，并確保可靠性。憑借CoolSiC，客戶將能夠?qū)崿F(xiàn)嚴(yán)格的能效目標(biāo)，同時(shí)降低操作系統(tǒng)成本。利用英飛凌科技的CoolSiC™ MOSFET和二極管，以溝槽作為作為取勝的戰(zhàn)壕。 文章來(lái)源：貿(mào)澤電子 作者簡(jiǎn)介：Paul Golata于2011年加入貿(mào)澤電子。作為高級(jí)技術(shù)內(nèi)容專(zhuān)家，Paul憑借出色的戰(zhàn)略領(lǐng)導(dǎo)力、戰(zhàn)術(shù)執(zhí)行力以及先進(jìn)技術(shù)與相關(guān)產(chǎn)品的整體產(chǎn)品線和營(yíng)銷(xiāo)方向，為貿(mào)澤電子的成功做出貢獻(xiàn)。 Paul通過(guò)編寫(xiě)?yīng)毺囟袃r(jià)值的技術(shù)內(nèi)容為設(shè)計(jì)工程師提供最新的技術(shù)資訊，促進(jìn)并增強(qiáng)了貿(mào)澤電子作為首選分銷(xiāo)商的地位。在加入貿(mào)澤電子之前，Paul曾在Hughes Aircraft Company、Melles Griot、Piper Jaffray、Balzers Optics、JDSU和Arrow Electronics擔(dān)任過(guò)制造、營(yíng)銷(xiāo)和銷(xiāo)售相關(guān)職位。Paul擁有伊利諾伊州芝加哥市德睿理工學(xué)院的電子工程學(xué)士學(xué)位；加州馬里布佩珀代因大學(xué)工商管理碩士學(xué)位；德克薩斯州沃思堡的西南浸信會(huì)神學(xué)院神學(xué)碩士及文學(xué)士學(xué)位；以及德克薩斯州沃思堡西南浸信會(huì)神學(xué)院的博士學(xué)位。 |
