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Vishay推出先進的30 V N溝道MOSFET,進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效

發布時間:2021-5-25 17:37    發布者:eechina
器件采用PowerPAK 1212 8S封裝,導通電阻低至0.95 mΩ,優異的FOM僅為29.8 mΩ*nC

Vishay推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝,10 V條件下導通電阻僅為0.95 mΩ,比上一代產品低5 %。此外, 4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mΩ,而4.5 V條件下導通電阻與柵極電荷乘積,即MOSFET開關應用重要優值系數(FOM)為29.8 mΩ*nC,是市場上優值系數最低的產品之一。



SiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %,從而降低導通和開關損耗,節省功率轉換應用的能源。

SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET低邊開關,以及服務器、通信和RF設備電源的負載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能,簡化設計人員兩種電路的器件選擇。

器件經過100 % RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

SiSS52DN現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為12周。


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