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賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。 CY15B104Q-LHXI是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為524,288×8位，可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進(jìn)行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。CY15B104Q-LHXI與具有相同引腳輸出的串行閃存或EEPROM之間的主要區(qū)別在于FRAM的優(yōu)越寫入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微提供相關(guān)技術(shù)支持。 8引腳TDFN引腳排列 與串行閃存和EEPROM不同，CY15B104Q-LHXI以總線速度執(zhí)行寫操作。沒有寫入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器陣列。下一個(gè)總線周期可以開始而無需數(shù)據(jù)輪詢。與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品具有顯著的寫入耐久性。CY15B104Q-LHXI能夠支持1014個(gè)讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。 這些功能使CY15B104Q-LHXI非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。例子包括數(shù)據(jù)收集（可能是關(guān)鍵的寫周期數(shù)）到要求苛刻的工業(yè)控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長寫入時(shí)間可能會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。 CY15B104Q-LHXI為串行EEPROM或閃存的用戶提供了實(shí)質(zhì)性的好處，可以作為硬件的替代產(chǎn)品。CY15B104Q-LHXI鐵電存儲(chǔ)器使用高速SPI總線，從而增強(qiáng)了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該設(shè)備包含一個(gè)只讀的設(shè)備ID，該ID允許主機(jī)確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內(nèi)保證器件的規(guī)格。 記憶體架構(gòu) 當(dāng)訪問CY15B104Q-LHXI時(shí)，用戶尋址每個(gè)8個(gè)數(shù)據(jù)位的512K單元。這八個(gè)數(shù)據(jù)位被串行移入或移出。使用SPI協(xié)議訪問地址，該協(xié)議包括一個(gè)芯片選擇（允許總線上有多個(gè)設(shè)備），一個(gè)操作碼和一個(gè)三字節(jié)地址。地址范圍的高5位是“無關(guān)”值。19位的完整地址唯一地指定每個(gè)字節(jié)地址。 CY15B104Q-LHXI FRAM的大多數(shù)功能要么由SPI接口控制，要么由板載電路處理。存儲(chǔ)器操作的訪問時(shí)間基本上為零，超出了串行協(xié)議所需的時(shí)間。也就是說，以SPI總線的速度讀取或?qū)懭氪鎯?chǔ)器。與串行閃存或EEPROM不同，由于以總線速度進(jìn)行寫操作，因此無需輪詢設(shè)備是否處于就緒狀態(tài)。到可以將新的總線事務(wù)轉(zhuǎn)移到設(shè)備中時(shí)，寫操作就完成了。界面部分將對此進(jìn)行詳細(xì)說明。 串行外設(shè)接口（SPI）總線 CY15B104Q-LHXI是SPI從設(shè)備，工作速度高達(dá)40MHz。該高速串行總線提供了與SPI主設(shè)備的高性能串行通信。許多常見的微控制器都具有允許直接接口的硬件SPI端口。對于不使用微控制器的普通端口引腳，使用普通端口引腳來模擬端口很簡單。 CY15B104Q工作在SPI模式0和3。 |
| 賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。 |
