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Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達(dá)1333MT /秒/引腳的速率進(jìn)行DDR3操作。它的設(shè)計(jì)符合所有DDR3 DRAM功能，包括設(shè)備端接（ODT）和內(nèi)部ZQ校準(zhǔn)，但具有數(shù)據(jù)持久性和極高的寫周期耐久性的優(yōu)點(diǎn)。借助Spin-Torque MRAM技術(shù)，不需要刷新單元，從而大大簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了開銷。 所有控制和地址輸入均與一對外部提供的差分時(shí)鐘同步，輸入鎖存在時(shí)鐘交叉點(diǎn)。 I / O與一對雙向選通脈沖（DQS，DQS）同步。該器件使用RAS / CAS多路復(fù)用方案，并在1.5V下工作。 特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持標(biāo)準(zhǔn)DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高達(dá)667MHz fCK（1333MT /秒/針） •頁面大小為512位（x8）或1024位（x16） •設(shè)備上終止 •片上DLL將DQ，DQS，DQS轉(zhuǎn)換與CK轉(zhuǎn)換對齊 •所有地址和控制輸入均在時(shí)鐘的上升沿鎖存 •突發(fā)長度為8，可編程突發(fā)斬波長度為4 •標(biāo)準(zhǔn)10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封裝 DDR3 DRAM兼容性 Everspin DDR3自旋扭矩MRAM與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3F中定義的DRAM操作的DDR3標(biāo)準(zhǔn)完全兼容。 •自旋扭矩MRAM是非易失性存儲器。無論何時(shí)出于任何原因斷開設(shè)備電源，已關(guān)閉/預(yù)充電存儲區(qū)中的所有數(shù)據(jù)都將保留在內(nèi)存中。 •在某些情況下，命令時(shí)間會有所不同。 •DDR3標(biāo)準(zhǔn)適用于高于256Mb的密度，從而導(dǎo)致尋址和頁面大小差異。 •突發(fā)類型/突發(fā)順序僅支持CA <2：0 = 000或100的連續(xù)突發(fā)類型。請參見第30頁的“突發(fā)長度，類型和順序”。 基本功能 DDR3 STT-MRAM是內(nèi)部配置為八存儲區(qū)RAM的高速自旋扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲器。它使用8n預(yù)取架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速操作。8n預(yù)取架構(gòu)與旨在在I/O引腳的每個時(shí)鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字的接口相結(jié)合。DDR3 MRAM的單個讀或?qū)懖僮靼▋?nèi)部STT-MRAM內(nèi)核的單個8n位寬，四個時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸以及I/O引腳上的兩個相應(yīng)的n位寬，半時(shí)鐘周期數(shù)據(jù)傳輸。 對DDR3 STT-MRAM的讀和寫操作是面向突發(fā)的，從選定的位置開始，并按照編程的順序繼續(xù)進(jìn)行八次突發(fā)長度或四次“斬波”突發(fā)。操作從激活活動命令的注冊開始，然后是READ或WRITE命令。與激活命令一致注冊的地址位用于選擇要激活的存儲體和行（[BA0：BA2]選擇存儲體； A0-A13選擇行）；有關(guān)特定要求，與READ或WRITE命令一致的已注冊地址位用于選擇突發(fā)操作的起始列位置，確定是否要發(fā)出自動預(yù)充電命令（通過A10），并“即時(shí)”選擇BC4或BL8模式。 （通過A12）（如果在模式寄存器中啟用）。在正常操作之前，必須以預(yù)定義的方式上電并初始化DDR3 STT-MRAM。 EMD3D256M型號表
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EMD3D256M08G1-150CBS1.pdf
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