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產品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲器，位寬為512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數據在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可在斷電時自動保護數據，以防止在不符合規定的電壓情況下進行寫操作。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用，MR3A16A是理想的存儲器解決方案。 MR3A16A非易失性MRAM提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄型小外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產品和其他非易失性RAM產品兼容。MR3A16A在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供商業溫度（0至+70°C）和工業溫度（-40至+85°C）工作溫度選項。everspin代理英尚微驅動、例程以及必要的FAE支持。 引腳封裝 MR3A16A特征 •+3.3伏電源 •35 ns的快速讀寫周期 •兼容SRAM的時序•無限的讀寫耐久性 •溫度下，數據始終保持非易失性超過20年 •符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封裝 •所有產品均符合MSL-3濕度敏感度等級 好處 •一個存儲器替代系統中的FLASH，SRAM，EEPROM和BBSRAM，以實現更簡單，更有效的設計 •通過更換電池供電的SRAM來提高可靠性 關于Everspin Everspin在磁存儲器設計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。英尚微電子作為everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數據存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 MR3A16A規格書下載 
MR3A16A.pdf
(1.21 MB)
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