英特爾發布“近閾值電壓處理器”與“立方體”概念DRAM

發布時間：2011-9-16 10:34 發布者：1770309616

英特爾在IDF演示了（Near-Threshold Voltage Processor）技術，它采用新型的超低電壓電路，通過在接近晶體管閥值電壓或啟動電壓的狀態運行，從而大幅降低能耗。這款概念CPU在有必要時可以快速運行，在負載較輕時可把功率降低到10毫瓦以下——功耗很低，一個郵票大小的太陽能電池即足以提供PC所需的電力。
這款實驗芯片并非產品，但這項研究的成果可轉化到未來各種產品上，這些集成了可擴展的近閥值電壓電路，可把相關產品的能耗降低五倍或更多，從而將“始終開機”（always on）功能可應用于更廣泛的計算設備。類似這樣的技術將進一步推動實現英特爾研究院的目標：在無論是大規模數據處理還是便攜式萬億級計算設備上，把各種應用的每單位計算能耗降低100到1000倍。

混合內存立方體是美光公司與英特爾共同開發的概念式DRAM。與目前的DDR3相比，這種新的內存設計方法能夠將能效提高7倍。混合內存立方體采用層疊式內存芯片配置，形成緊湊的“立方體”并使用高效的全新內存接口，為傳輸每比特數據的能耗設立了新的標桿，可支持每秒一萬億比特的數據傳輸速度。這項研究將有助于大幅改進服務器使之為云計算優化，以及超極本™、電視機、平板電腦和智能手機的性能。

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