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英特爾在IDF演示了（Near-Threshold Voltage Processor）技術(shù)，它采用新型的超低電壓電路，通過(guò)在接近晶體管閥值電壓或啟動(dòng)電壓的狀態(tài)運(yùn)行，從而大幅降低能耗。這款概念CPU在有必要時(shí)可以快速運(yùn)行，在負(fù)載較輕時(shí)可把功率降低到10毫瓦以下——功耗很低，一個(gè)郵票大小的太陽(yáng)能電池即足以提供PC所需的電力。 這款實(shí)驗(yàn)芯片并非產(chǎn)品，但這項(xiàng)研究的成果可轉(zhuǎn)化到未來(lái)各種產(chǎn)品上，這些集成了可擴(kuò)展的近閥值電壓電路，可把相關(guān)產(chǎn)品的能耗降低五倍或更多，從而將“始終開(kāi)機(jī)”（always on）功能可應(yīng)用于更廣泛的計(jì)算設(shè)備。類似這樣的技術(shù)將進(jìn)一步推動(dòng)實(shí)現(xiàn)英特爾研究院的目標(biāo)：在無(wú)論是大規(guī)模數(shù)據(jù)處理還是便攜式萬(wàn)億級(jí)計(jì)算設(shè)備上，把各種應(yīng)用的每單位計(jì)算能耗降低100到1000倍。 
混合內(nèi)存立方體是美光公司與英特爾共同開(kāi)發(fā)的概念式DRAM。與目前的DDR3相比，這種新的內(nèi)存設(shè)計(jì)方法能夠?qū)⒛苄岣?倍。混合內(nèi)存立方體采用層疊式內(nèi)存芯片配置，形成緊湊的“立方體”并使用高效的全新內(nèi)存接口，為傳輸每比特?cái)?shù)據(jù)的能耗設(shè)立了新的標(biāo)桿，可支持每秒一萬(wàn)億比特的數(shù)據(jù)傳輸速度。這項(xiàng)研究將有助于大幅改進(jìn)服務(wù)器使之為云計(jì)算優(yōu)化，以及超極本™、電視機(jī)、平板電腦和智能手機(jī)的性能。
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