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英特爾公司宣布推出最新固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品——英特爾® 固態(tài)硬盤710系列。這是一款面向數(shù)據(jù)中心的專用多層單元（Multi-Level Cell，MLC）固態(tài)硬盤，它將取代英特爾® X25-E Extreme固態(tài)硬盤。英特爾® X25-E固態(tài)硬盤基于更昂貴但高度可靠的單層單元（Single-Level Cell，SLC）NAND 閃存技術(shù)，英特爾® 固態(tài)硬盤710系列則采用了英特爾25納米制程特選高品質(zhì)的MLC NAND 閃存和英特爾高耐用性技術(shù)（High Endurance Technology，HET），可以為數(shù)據(jù)中心、金融服務(wù)、嵌入式、互聯(lián)網(wǎng)門戶、搜索引擎以及其它要求苛刻的存儲和服務(wù)器應(yīng)用帶來它們所需的耐用性和性能，從而實(shí)現(xiàn)更高的應(yīng)用價(jià)值。 英特爾公司副總裁兼英特爾非易失性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke表示：“英特爾® 固態(tài)硬盤710系列采用英特爾高耐用性技術(shù)和英特爾25納米制程MLC NAND閃存技術(shù)，可以為企業(yè)級數(shù)據(jù)中心和嵌入式用戶帶來卓越的耐用性和性能。得益于出色的性能、可靠性和價(jià)值，英特爾固態(tài)硬盤在數(shù)據(jù)中心得到了廣泛部署。這款最新固態(tài)硬盤產(chǎn)品系列的寫入耐用性是當(dāng)前 MLC固態(tài)硬盤的30倍以上，而且具備更為先進(jìn)的性能和新特性，例如斷電數(shù)據(jù)保護(hù)和NAND閃存冗余陣列，從而增強(qiáng)了可靠性。” 英特爾® 固態(tài)硬盤710系列在耐用性上非常接近基于SLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤，但它采用了容量更高、更具性價(jià)比優(yōu)勢的MLC NAND 閃存技術(shù)。它可實(shí)現(xiàn)最高達(dá)1.1PB的即購即用寫入耐用性，有100GB、200GB和300GB三種容量版本可供選擇。它也是專為I/O密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，在全盤容量的基礎(chǔ)上可實(shí)現(xiàn)最高達(dá)每秒2,700次輸入輸出操作（IOPS）的4K隨機(jī)寫入性能及最高達(dá)每秒38,500次輸入輸出操作（IOPS）的4K隨機(jī)讀取性能，足以取代一塊SLC固態(tài)硬盤或多塊企業(yè)級機(jī)械硬盤（HDD）。從性能之外的角度來看，用一塊英特爾® 固態(tài)硬盤710系列產(chǎn)品來代替多塊高功耗機(jī)械硬盤，也有助于降低數(shù)據(jù)中心的能源成本。 思科* 公司的產(chǎn)品管理副總裁David Lawler表示：“思科* 和英特爾公司的團(tuán)隊(duì)密切合作，分析了數(shù)據(jù)中心環(huán)境下服務(wù)器的需求。我們看到今天的IT機(jī)構(gòu)經(jīng)常遇到存儲不足的問題，他們需要更高的存儲密度、容量以及性能。思科* UCS B230 M2* 服務(wù)器可提供最高密度的存儲容量，它是基于英特爾® 至強(qiáng)® E7-2800處理器的、密度最高的雙路半寬機(jī)型之一。思科* 將通過在UCS B230* 上配備英特爾® 固態(tài)硬盤710系列，包括在9月時(shí)為其配備兩塊100GB容量的710系列固態(tài)硬盤，以及在秋季時(shí)提供兩塊容量最高達(dá)300GB的710系列固態(tài)硬盤，來進(jìn)一步增強(qiáng)其性能和存儲容量�！� 英特爾® 固態(tài)硬盤710系列還增添了可靠性和安全性特性，這些特性包括：增強(qiáng)的斷電數(shù)據(jù)保護(hù)，可在發(fā)生電源故障時(shí)減少潛在的數(shù)據(jù)丟失；NAND冗余閃存，可增強(qiáng)數(shù)據(jù)安全性，在發(fā)生NAND芯片故障時(shí)提供系統(tǒng)保護(hù)；溫度監(jiān)控與記錄，可使用兩個(gè)自動監(jiān)控分析和報(bào)告技術(shù)（SMART）屬性監(jiān)控內(nèi)置的溫度傳感器，以防止發(fā)生停機(jī)故障。 由于定位于高寫入需求的使用模式，英特爾® 固態(tài)硬盤710系列還可以被用戶“超標(biāo)”配置，以實(shí)現(xiàn)最高超過80%的寫入耐用性，創(chuàng)造出色的存儲價(jià)值。英特爾HET 融合了NAND閃存在芯片上的改進(jìn)和獨(dú)一無二的固態(tài)硬盤NAND管理技術(shù)，可延長基于MLC的固態(tài)硬盤的寫入耐用性。英特爾HET由英特爾開發(fā)的固件、控制器和高循環(huán)NAND組成，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的耐用性和性能，來應(yīng)對24/7全天候數(shù)據(jù)中心或科學(xué)、金融以及其它高密度使用模式中的繁重?cái)?shù)據(jù)處理和寫入負(fù)載。英特爾固件的增強(qiáng)特性則包括經(jīng)過優(yōu)化的錯(cuò)誤避免技術(shù)、減少寫入放大的算法和超越業(yè)內(nèi)常見的錯(cuò)誤檢查與糾正（ECC）標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)層錯(cuò)誤管理。 相比于上一代英特爾® X25-E 固態(tài)硬盤，英特爾® 固態(tài)硬盤710系列的單位GB成本更低，100GB容量版本的千塊批發(fā)單價(jià)為649美元，200GB容量版本千塊批發(fā)單價(jià)為1,289美元，300GB容量版本的千塊單價(jià)為1,929美元。英特爾® 固態(tài)硬盤710系列享有3年有限質(zhì)保。 
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