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MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數據在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路會在掉電時自動保護數據，以防止電壓超出規格的寫入。為了簡化容錯設計，MR4A16B包含內部單個糾錯碼，每64個數據位具有7個ECC奇偶校驗位。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用，MR4A16B是理想的存儲器解決方案。 MR4A16B提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄型薄型外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產品和其他非易失性RAM產品兼容。MR4A16B在很寬的溫度范圍內提供了高度可靠的數據存儲。該產品提供商業溫度（0至+70°C）和工業溫度（-40至+85°C）工作溫度選項。最新的Everspin產品信息及選購，請接洽代理宇芯電子銷售。 MR4A16B 1M x 16 MRAM •+3.3伏電源 •35 ns的快速讀寫周期 •SRAM兼容時序 •無限的讀寫耐久性 •溫度下，數據始終保持非易失性超過20年 •符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封裝 •所有產品均符合MSL-3濕度敏感度標準 •一個存儲器取代了系統中的FLASH，sram，EEPROM和BBSRAM，從而實現了更簡單，更高效的設計 •通過更換電池供電的SRAM來提高可靠性 關于Everspin Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。在包括40nm，28nm以及更高技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。此外，Everspin在亞利桑那州錢德勒擁有并運營一條集成的磁性生產線，Everspin在此生產基于180nm，130nm和90nm工藝技術節點的MRAM產品。產品包裝和測試業務遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。 MR4A16B型號表
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