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EMI7008LSMI該器件是8Mb串行訪問的SRAM存儲芯片，內(nèi)部組織為1024K字，每個8位。該器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。該器件使用單芯片選擇（/CS）輸入進(jìn)行操作，并通過與SPI兼容的簡單串行接口進(jìn)行訪問。單個數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出線與時鐘一起使用以訪問該設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。該設(shè)備包括一個/HOLD引腳，該引腳允許在不取消選擇該設(shè)備的情況下暫停與該設(shè)備的通信。暫停時，除/CS引腳外的輸入跳變將被忽略。該器件可在-40°C至+85°C（工業(yè)級）的溫度范圍內(nèi)工作。 特征： •SPI總線接口： -兼容SPI -SDI（雙）和SQI（四）兼容 -所有模式的時鐘頻率均為50MHz •低功耗CMOS技術(shù)： -讀取電流：50MHz時為22mA（典型值） -深度睡眠模式電流：1mA（典型值） •無限的讀寫周期 •1Mx8位組織 •用于讀取和寫入的字節(jié)和順序模式 •支持的溫度范圍： -工業(yè)（I）：-40°C至+85°C •符合RoHS •8引線SOP封裝（2.08mil） 引腳封裝 SDI模式和SQI模式操作 與兼容的主設(shè)備一起使用時，該設(shè)備還支持SDI（串行雙接口）和SQI（串行四接口）操作模式。要進(jìn)入SDI模式，必須輸入ESDI命令（3Bh）。按照SDI操作模式的慣例，每個時鐘使用SIO0和SIO1引腳輸入兩位。位首先以MSB時鐘輸入。要進(jìn)入SQI模式，必須輸入ESQI命令（38h）。對于SQI操作模式，每個時鐘輸入4位數(shù)據(jù)，或者每個時鐘輸入1個半字節(jié)。半字節(jié)首先由MSB提供時鐘。 要退出SDI模式，必須發(fā)出RSTDQI命令（FFh）。必須在當(dāng)前設(shè)備配置（SDI模式或SQI模式）中輸入命令。 
8Mb_SPI SRAM_1.1版本.pdf
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關(guān)于EMI 安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司（簡稱EMI）位于合肥市高新區(qū)，是一家以市場為導(dǎo)向的無晶圓半導(dǎo)體公司。專注于利基市場專用芯片/小型藍(lán)牙SOC芯片/存儲芯片SRAM/PSRAM及整體解決方案，第一代產(chǎn)品涉及千兆/萬兆USB網(wǎng)口芯片以及音視頻接口芯片。提供創(chuàng)新、高品質(zhì)、高性價比、 供貨持續(xù)穩(wěn)定的芯片，并通過提供軟硬件Turnkey solution，降低客戶研發(fā)難度，縮短客戶量產(chǎn)時程。產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。EMI代理英尚微電子支持提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 |
| EMI7008LSMI該器件是8Mb串行訪問的SRAM存儲芯片，內(nèi)部組織為1024K字，每個8位。該器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。該器件使用單芯片選擇（/CS）輸入進(jìn)行操作，并通過與SPI兼容的簡單串行接口進(jìn)行訪問。 |
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EMI7008LSMI特征： •SPI總線接口： -兼容SPI -SDI（雙）和SQI（四）兼容 -所有模式的時鐘頻率均為50MHz •低功耗CMOS技術(shù)： -讀取電流：50MHz時為22mA（典型值） -深度睡眠模式電流：1mA（典型值） •無限的讀寫周期 •1Mx8位組織 •用于讀取和寫入的字節(jié)和順序模式 •支持的溫度范圍： -工業(yè)（I）：-40°C至+85°C •符合RoHS •8引線SOP封裝（2.08mil） |
