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ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位靜態RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的過程與創新的電路設計技術相結合，可生產出高性能和低功耗的設備。 當CS＃為高電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，可以通過CMOS輸入電平降低功耗。通過使用芯片使能和OutputEnable輸入，可以輕松擴展存儲器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許訪問高字節（UB＃）和低字節（LB＃）。 IS61WV204816ALL采用JEDEC標準的48引腳TSOP（TYPEI）和48引腳微型BGA（6mmx8mm）封裝。ISSI代理宇芯電子支持產品應用解決方案及例程等技術支持。 引腳配置 48針微型BGA（6mmx8mm） 48針TSOP，I型（12mmx20mm） IS61WV204816AL特征 •高速訪問時間：10ns，12ns •高性能，低功耗CMOS工藝 •多個中心電源和接地引腳，可增強抗噪能力 •使用CS＃和OE＃輕松進行內存擴展 •TTL兼容的輸入和輸出 •單電源 –1.65V-2.2VVDD（IS61WV204816ALL） –2.4V-3.6VVDD（IS61WV204816BLL） •可用軟件包： -48球迷你BGA（6mmx8mm） -48引腳TSOP（I型） •工業和汽車溫度支持 •可用無鉛 •數據控制的高低字節 功能說明 sram是隨機存取存儲器之一。每個字節或字都有一個地址，可以隨機訪問。SRAM支持三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進行了描述。 待機模式 取消選擇時（CS＃高），設備進入待機模式。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于高阻抗狀態。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節省功率。 寫模式 所選芯片（CS＃）和寫入使能（WE＃）輸入為低電平時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于數據輸入模式。即使OE＃為LOW，在此期間輸出緩沖區也會關閉。UB＃和LB＃啟用字節寫入功能。通過使LB＃為低電平，來自I/O引腳（I/O0至I/O7）的數據被寫入地址引腳上指定的位置。且UB＃為低電平時，來自I/O引腳（I/O8至I/O15）的數據被寫入該位置。 讀取模式 選擇芯片時（CS＃為低電平），寫使能（WE＃）輸入為高電平時，讀操作出現問題。當OE＃為LOW時，輸出緩沖器打開以進行數據輸出。不允許在讀取模式下對I/O引腳進行任何輸入。UB＃和LB＃啟用字節讀取功能。通過啟用LB＃LOW，來自內存的數據將出現在I/O0-7上。且UB＃為LOW時，來自內存的數據將出現在I/O8-15上。 在READ模式下，可以通過將OE＃拉高來關閉輸出緩沖器。在這種模式下，內部設備作為READ進行操作，但I/O處于高阻抗狀態。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。 上電初始化 該器件包括用于啟動上電初始化過程的片上電壓傳感器。 當VDD達到穩定水平時，器件需要150us的tPU（上電時間）來完成其自初始化過程。 初始化完成后，設備即可正常運行。 
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf
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| ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位靜態RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的過程與創新的電路設計技術相結合，可生產出高性能和低功耗的設備。 |
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IS61WV204816AL特征 •高速訪問時間：10ns，12ns •高性能，低功耗CMOS工藝 •多個中心電源和接地引腳，可增強抗噪能力 •使用CS＃和OE＃輕松進行內存擴展 •TTL兼容的輸入和輸出 •單電源 –1.65V-2.2VVDD（IS61WV204816ALL） –2.4V-3.6VVDD（IS61WV204816BLL） •可用軟件包： -48球迷你BGA（6mmx8mm） -48引腳TSOP（I型） •工業和汽車溫度支持 •可用無鉛 •數據控制的高低字節 |
