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EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲(chǔ)器，在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達(dá)1333MT /秒/引腳的速率進(jìn)行DDR3操作。它的設(shè)計(jì)符合所有DDR3 DRAM功能，包括設(shè)備端接（ODT）和內(nèi)部ZQ校準(zhǔn)，但具有數(shù)據(jù)持久性和極高的寫(xiě)周期耐久性的優(yōu)點(diǎn)。借助Spin-Torque MRAM技術(shù)，不需要刷新單元，從而大大簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了開(kāi)銷(xiāo)。 所有控制和地址輸入都與一對(duì)外部提供的差分時(shí)鐘同步，輸入鎖存在時(shí)鐘交叉點(diǎn)。 I/O與一對(duì)雙向選通脈沖（DQS，DQS）同步。該器件使用RAS / CAS多路復(fù)用方案，并在1.5V下工作。 特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持標(biāo)準(zhǔn)DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高達(dá)667MHz fCK（1333MT /秒/針） •頁(yè)面大小為512位（x8）或1024位（x16） •設(shè)備上終止 •片上DLL將DQ，DQS，DQS轉(zhuǎn)換與CK轉(zhuǎn)換對(duì)齊 •所有地址和控制輸入均在時(shí)鐘的上升沿鎖存 •突發(fā)長(zhǎng)度為8，可編程突發(fā)斬波長(zhǎng)度為4 •標(biāo)準(zhǔn)10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封裝 DDR3 DRAM兼容性 Everspin DDR3自旋扭矩MRAM與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3F中定義的DRAM操作的DDR3標(biāo)準(zhǔn)完全兼容，但本數(shù)據(jù)表中已指出和定義的例外和改進(jìn)之處。 •自旋扭矩MRAM是非易失性存儲(chǔ)器。無(wú)論何時(shí)出于任何原因斷開(kāi)設(shè)備電源，已關(guān)閉/預(yù)充電存儲(chǔ)區(qū)中的所有數(shù)據(jù)都將保留在內(nèi)存中。 •在某些情況下，命令時(shí)間會(huì)有所不同。 •DDR3標(biāo)準(zhǔn)適用于高于256Mb的密度，從而導(dǎo)致尋址和頁(yè)面大小差異。 •突發(fā)類(lèi)型/突發(fā)順序僅支持CA <2：0 = 000或100的連續(xù)突發(fā)類(lèi)型。 •當(dāng)MRAM與本標(biāo)準(zhǔn)之間的功能，時(shí)序，參數(shù)或條件相同時(shí)。 關(guān)于Everspin Everspin Technologies，Inc.總部位于亞利桑那州錢(qián)德勒，是設(shè)計(jì)和制造和商業(yè)銷(xiāo)售MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的翹楚，其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性。完整性和低延遲以及安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源，工業(yè)，汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大，增長(zhǎng)最快的基礎(chǔ)。everspin代理宇芯電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持和產(chǎn)品應(yīng)用解決方案。 
EMD3D256M08G1-150CBS1.pdf
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| EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲(chǔ)器，在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達(dá)1333MT /秒/引腳的速率進(jìn)行DDR3操作。它的設(shè)計(jì)符合所有DDR3 DRAM功能，包括設(shè)備端接（ODT）和內(nèi)部ZQ校準(zhǔn)，但具有數(shù)據(jù)持久性和極高的寫(xiě)周期耐久性的優(yōu)點(diǎn)。借助Spin-Torque MRAM技術(shù)，不需要刷新單元，從而大大簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了開(kāi)銷(xiāo)。 |
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特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持標(biāo)準(zhǔn)DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高達(dá)667MHz fCK（1333MT /秒/針） •頁(yè)面大小為512位（x8）或1024位（x16） •設(shè)備上終止 •片上DLL將DQ，DQS，DQS轉(zhuǎn)換與CK轉(zhuǎn)換對(duì)齊 •所有地址和控制輸入均在時(shí)鐘的上升沿鎖存 •突發(fā)長(zhǎng)度為8，可編程突發(fā)斬波長(zhǎng)度為4 •標(biāo)準(zhǔn)10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封裝 |
