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EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發性和高耐久性。該設備能夠以高達1333MT /秒/引腳的速率進行DDR3操作。它的設計符合所有DDR3 DRAM功能，包括設備端接（ODT）和內部ZQ校準，但具有數據持久性和極高的寫周期耐久性的優點。借助Spin-Torque MRAM技術，不需要刷新單元，從而大大簡化了系統設計并減少了開銷。 所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步，輸入鎖存在時鐘交叉點。 I/O與一對雙向選通脈沖（DQS，DQS）同步。該器件使用RAS / CAS多路復用方案，并在1.5V下工作。 特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持標準DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高達667MHz fCK（1333MT /秒/針） •頁面大小為512位（x8）或1024位（x16） •設備上終止 •片上DLL將DQ，DQS，DQS轉換與CK轉換對齊 •所有地址和控制輸入均在時鐘的上升沿鎖存 •突發長度為8，可編程突發斬波長度為4 •標準10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封裝 DDR3 DRAM兼容性 Everspin DDR3自旋扭矩MRAM與JEDEC標準JESD79-3F中定義的DRAM操作的DDR3標準完全兼容，但本數據表中已指出和定義的例外和改進之處。 •自旋扭矩MRAM是非易失性存儲器。無論何時出于任何原因斷開設備電源，已關閉/預充電存儲區中的所有數據都將保留在內存中。 •在某些情況下，命令時間會有所不同。 •DDR3標準適用于高于256Mb的密度，從而導致尋址和頁面大小差異。 •突發類型/突發順序僅支持CA <2：0 = 000或100的連續突發類型。 •當MRAM與本標準之間的功能，時序，參數或條件相同時。 關于Everspin Everspin Technologies，Inc.總部位于亞利桑那州錢德勒，是設計和制造和商業銷售MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的翹楚，其市場和應用領域涉及數據持久性和可靠性。完整性和低延遲以及安全性至關重要。Everspin MRAM在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎。everspin代理宇芯電子提供產品技術支持和產品應用解決方案。 
EMD3D256M08G1-150CBS1.pdf
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| EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發性和高耐久性。該設備能夠以高達1333MT /秒/引腳的速率進行DDR3操作。它的設計符合所有DDR3 DRAM功能，包括設備端接（ODT）和內部ZQ校準，但具有數據持久性和極高的寫周期耐久性的優點。借助Spin-Torque MRAM技術，不需要刷新單元，從而大大簡化了系統設計并減少了開銷。 |
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特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持標準DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高達667MHz fCK（1333MT /秒/針） •頁面大小為512位（x8）或1024位（x16） •設備上終止 •片上DLL將DQ，DQS，DQS轉換與CK轉換對齊 •所有地址和控制輸入均在時鐘的上升沿鎖存 •突發長度為8，可編程突發斬波長度為4 •標準10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封裝 |
