|
STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強型系列,工作頻率為72MHz,內(nèi)置高速存儲器(高達512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM) ,豐富的外設資源足以滿足大部分的一般應用,但對于一些需要采集處理較多數(shù)據(jù).應用算法或使用GUI等場合,內(nèi)置的SRAM就顯得捉襟見肘了,這時就需要擴展SRAM了。 IS61LV51216是ISSI公司生產(chǎn)的常用16位SRAM異步存儲芯片,內(nèi)部512k存儲容量足以滿足多數(shù)場合應用需求,存取時間8~12ns ,全靜態(tài)操作,不需時鐘或刷新,兼容TTL標準接口,具有高速,可靠、易操作.低功耗等優(yōu)點。ISSI總代理英尚微電子支持提供例程及FAE等技術(shù)支持。 FSMC(靈活的靜態(tài)存儲器控制器)是STM32采用的一種新型存儲器控制技術(shù),包含四個主要模塊:AHB接口.NOR閃存和PSRAM控制器、NAND閃存和PC卡控制器、外部設備接口。 STM32F103系列中的64腳的STM32F103Rx系列沒有FSMC功能,無法擴展SRAM;100腳的STM32F103Vx系列的FSMC在使用時需要管腳復用,不僅設置起來更復雜一些,而且還需增加鎖存器,FSMC本身也占用大量管腳,在許多應用場合中造成管腳分配困難，但成本卻與144腳的STM32F103Zx系列相差不大,因此在需要擴展SRAM時除非對成本要求特別嚴格或有其他要求,一般較少選用STM32F103Vx系列。 硬件電路設計 STM32F103ZET6與IS61LV51216的硬件電路連接:管腳接法同時兼容容量較小但成本更低的IS61LV25616。由于篇幅原因,IS61LV51216芯片的A18-AO為地址線,在此沒有用到的FSMC_A可以作為通用IO使用,I/O15-I/O0為數(shù)據(jù)線,CE為片選引腳,本例選擇使用地址為bank1的第三個子區(qū)域,片選腳為FSMC_NE3,WE為寫入使能引腳,控制存儲器的寫入和讀取,DE為輸出使能引腳。LB為低位控制腳,UB為高位控制腳,用于將32位數(shù)據(jù)分割為連續(xù)的16位數(shù)據(jù)進行操作。 |
| STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強型系列,工作頻率為72MHz,內(nèi)置高速存儲器(高達512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM) ,豐富的外設資源足以滿足大部分的一般應用,但對于一些需要采集處理較多數(shù)據(jù). |
| IS61LV51216是ISSI公司生產(chǎn)的常用16位SRAM異步存儲芯片,內(nèi)部512k存儲容量足以滿足多數(shù)場合應用需求,存取時間8~12ns ,全靜態(tài)操作,不需時鐘或刷新,兼容TTL標準接口,具有高速,可靠、易操作.低功耗等優(yōu)點。 |
