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新興的記憶已經存在了數十年。盡管有些人已經發現嵌入式技術在商業上取得了一定程度的成功，但它們也落后于離散存儲器的高性價比替代方案。盡管具有更高的性能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。 磁阻隨機存取存儲器（MRAM）最早于1980年代開發，并被推廣為通用存儲器。與其他存儲技術不同，MRAM將數據存儲為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與DRAM和閃存競爭的能力。 盡管諸如Everspin之類的MRAM先驅已經在離散應用的嵌入式市場中取得了一些成功，甚至證明它可以處理汽車應用的極端環境，但MRAM仍然是一個利基存儲器。 類似電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）尚未成為可行的分立存儲器。甚至它在嵌入式市場上的成功也受到了限制。與傳統的嵌入式閃存技術相比，它的吸引力包括更低的功耗，更少的處理步驟和更低的電壓。它還具有太空和醫療應用的輻射耐受性。 在過去的二十年中，數家公司一直在開發ReRAM技術，但是該方法仍然面臨集成和可靠性方面的挑戰。像磁阻電阻一樣，ReRAM供應商在開發嵌入式ReRAM器件方面取得了一些進展，以增加可用于分立開發工作的收入。Weebit Nano與研究合作伙伴Leti合作，以使分立的ReRAM在商業上可行。同時繼續探索該記憶在神經形態和AI應用中的潛力。 Weebit NAno的ReRAM技術使用了兩個金屬層，中間有一個氧化硅層，由可用于現有生產線的材料組成。 其ReRAM技術的吸引力在于，它利用了可用于現有生產線的材料。 一旦FRAM和MRAM及ReRAM通過資格審查，這將在嵌入式應用程序中創造一個機會。MRAM和ReRAM仍然是新興的存儲器，與此同時其客戶正在意識到對快速，廉價內存（如DRAM）的需求。這是一種廉價的內存擴展功能。它允許低成本和內存密集型應用程序。 |
