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創(chuàng)建電解電容封裝和二極管教程

發(fā)布時(shí)間:2011-8-11 09:12    發(fā)布者:ipolo
關(guān)鍵詞: 電解電容 , 二極管 , 封裝
創(chuàng)建整流二極管封裝形式:

(1)、在“二極管.LIB”文件設(shè)計(jì)窗口下,單擊左邊設(shè)計(jì)管理器下的“Browse PCBLib”選項(xiàng)卡;再單擊菜單“Tools/New Component”,出現(xiàn)“元器件封裝制作向?qū)А睂υ捒颍瑔螕簟癗ext”按鈕進(jìn)入下一步;在出現(xiàn)的“元器件封裝類型選擇”對話框,選擇 “Diodes” 如圖1所示,單擊下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步。





圖1(2)、接下來是一個(gè)“二極管類型選擇” 對話框如圖2所示,單擊下拉箭頭有兩種選擇:一種是貼片(SMD)元件,另一種為針腳式元件,在此用默認(rèn)類型針腳式,直接單擊下方“Next”按ソ?胂亂 徊健?/DIV>





圖2

(3)、接下來是一個(gè)“焊盤尺寸設(shè)置”對話框,將焊盤直徑改為80mil;將鉆孔直徑改為32mil,單擊下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步。

(4)、接下來是一個(gè)“焊盤間距設(shè)置”對話框如圖3所示,將焊盤間距改為400mil,單擊下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步。





圖3

(5)、接下來是一個(gè)“新元器件封裝連接導(dǎo)線寬度設(shè)置”對話框,直接單擊下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步,然后是“新元器件封裝名稱設(shè)置”對話框,輸入 “整流二極管”如圖4所示,單擊下方“Next” 按鈕進(jìn)入下一步,再單擊“Finish” 按鈕,完成后如圖5所示。





圖4





圖5

(6)、單擊菜單“Edit/Delete”用鼠標(biāo)所帶出的大十字光標(biāo)單擊各條黃色線框?qū)⑺鼈儎h除,再將左下角“Current Layer”欄下選成“TopOverlay”如圖6所示。





圖6

(7)、單擊菜單“Place/Track”,重新畫整流二極管外形如圖7所示。單擊菜單“File/Save”將創(chuàng)建的整流二極管封裝保存起 來。用相同方法可在“二極管.LIB”文件中創(chuàng)建多種二極管封裝。





圖7

創(chuàng)建電解電容封裝:

創(chuàng)建各種電阻和普通電容封裝可參閱上節(jié)內(nèi)容,不再贅述。這里再舉創(chuàng)建電解電容封裝為例說明創(chuàng)建過程。

(1)、在“電容.LIB”文件設(shè)計(jì)窗口下,單擊左邊設(shè)計(jì)管理器下的“Browse PCBLib”選項(xiàng)卡,再單擊菜單“Tools/New Component”,仍出現(xiàn)“元器件封裝制作向?qū)А睂υ捒颍瑔螕簟癗ext”按鈕進(jìn)入下一步,出現(xiàn)“元器件封裝類型選擇”對話框,選擇 “Capacitors”如圖8所示,單擊下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步。





圖8

(2)、接下來是“電容類型選擇”對話框,仍用默認(rèn)類型針腳式,直接單擊下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步;再接下來是“焊盤尺寸設(shè)置”對話框, 也將焊盤直徑改為80mil;將鉆孔直徑改為32mil,單擊下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步;再接下來是“焊盤間距設(shè)置”對話框,將焊盤間距改為 200mil(注:此值也是實(shí)物測量所定,一般47μF容量以下的小電解電容可用這個(gè)尺寸),單擊下方“Next” 按鈕進(jìn)入下一步。

(3)、接下來是一個(gè)“電容器外形選擇”對話框,上方欄為選擇有無極性,因是電解電容,故選“Polarised”有極性;中間欄為選 “軸向”或“有半徑”的,此處選“Radial”有半徑的;下方欄有三種樣式:園、橢圓和長方形,此處選“Circle”園形的如圖9所示。選定后再單擊 下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步。





圖9

(4)、接下來是一個(gè)“新元器件封裝連接導(dǎo)線寬度設(shè)置”對話框,一項(xiàng)內(nèi)容是選擇默認(rèn)園環(huán)導(dǎo)線寬度為10mil;另一項(xiàng)內(nèi)容是選擇園環(huán)直徑大小 的,這里要根據(jù)電解電容的容量、體積大小,實(shí)測進(jìn)行修改,假若是容量在47μF以下的小電解電容,可以改成100mil,如圖10所示。單擊下方 “Next” 按鈕進(jìn)入下一步。





圖10

(5)、接下來是一個(gè)“新元器件封裝名稱設(shè)置”對話框,將文本框中輸入“10uF電解電容”,如圖11所示。單擊下方“Next”按鈕進(jìn)入下一步;再單擊 “Finish” 按鈕,即創(chuàng)建完成10uF電解電容封裝如圖12所示。





圖11





圖12

(6)、將左下角“Current Layer”欄下選為“TopOverlay”,再用鼠標(biāo)分別單擊黃色“+”符號筆劃,并按住鼠標(biāo)將它們移至圈外適當(dāng)位置,然后單擊菜單 “Place/Track”調(diào)出導(dǎo)線如圖13所示畫出電解電容負(fù)極柵格。





圖13

(7)、創(chuàng)建完成后不要忘記保存,創(chuàng)建其它電容封裝在這里就不一一舉例了,讀者可以自己嘗試去實(shí)踐,另給出瓷片電容和薄膜電容封裝參考圖如圖 14所示。


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