|
新技術(shù)以獨(dú)一無二的堆棧方法將組合封裝技術(shù)推向新的高度，可為電源設(shè)計(jì)人員帶來 2D 到 3D 集成 德州儀器 (TI) 宣布 PowerStack 封裝技術(shù)產(chǎn)品出貨量已突破 3000 萬套。該技術(shù)可為電源管理器件顯著提高性能，降低功耗，并改進(jìn)芯片密度。 PowerStack 技術(shù)的優(yōu)勢是通過創(chuàng)新型封裝方法實(shí)現(xiàn)的，即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFETTM 功率 MOSFET，并采用兩個(gè)銅彈片連接輸入輸出電壓引腳。這種堆棧與彈片焊接的獨(dú)特組合可實(shí)現(xiàn)更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案。 通過 PowerStack 技術(shù)堆棧 MOSFET，最明顯的優(yōu)勢是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達(dá) 50%。除降低板級(jí)空間之外，PowerStack 封裝技術(shù)還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率。如欲了解有關(guān) PowerStack 優(yōu)勢的更多詳情，敬請?jiān)L問：ti.com/powerstack。 PowerStack 現(xiàn)已在 TI Clark 廠投入量產(chǎn)。 PowerStack 封裝技術(shù)再次凸顯了 TI 在封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)，其可為在更低成本下要求更高功率密度、可靠性以及性能的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更進(jìn)一步的發(fā)展。TI 擁有數(shù)十年的豐富封裝專業(yè)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，可為成千上萬種豐富產(chǎn)品、封裝配置與技術(shù)提供支持，從而可為模擬市場提供最豐富的封裝組合。如欲了解有關(guān) TI 領(lǐng)先封裝技術(shù)的更多詳情，敬請?jiān)L問：www.ti.com/powerstack-pr-pkg。 TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可為高功率計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器系統(tǒng)以及電源應(yīng)用提高能源效率。此外，這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 還可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供當(dāng)前最高級(jí)的 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換解決方案。 如欲了解有關(guān) TI NexFET Power Block 的更多詳情，敬請?jiān)L問：www.ti.com/powerblock-pr。 |
