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硬件工程師筆試題

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發(fā)表于 2011-7-26 08:57:25 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: 筆試題 , 硬件工程師
模擬電路


1、基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么?(仕蘭微電子


2、平板電容公式(C=εS/4πkd)。(未知)


3、最基本的如三極管曲線特性。(未知)


4、描述反饋電路的概念,列舉他們的應(yīng)用。(仕蘭微電子)


5、負(fù)反饋種類(電壓并聯(lián)反饋,電流串聯(lián)反饋,電壓串聯(lián)反饋和電流并聯(lián)反饋);負(fù)反饋的優(yōu)點(diǎn)(降低放大器的增益靈敏度,改變輸入電阻和輸出電阻,改善放大器的線性和非線性失真,有效地?cái)U(kuò)展放大器的通頻帶,自動(dòng)調(diào)節(jié)作用)(未知)


6、放大電路的頻率補(bǔ)償?shù)哪康氖鞘裁矗心男┓椒ǎ浚ㄊ颂m微電子)


7、頻率響應(yīng),如:怎么才算是穩(wěn)定的,如何改變頻響曲線的幾個(gè)方法。(未知)


8、給出一個(gè)查分運(yùn)放,如何相位補(bǔ)償,并畫補(bǔ)償后的波特圖。(凹凸)


9、基本放大電路種類(電壓放大器,電流放大器,互導(dǎo)放大器和互阻放大器),優(yōu)缺點(diǎn),特別是廣泛采用差分結(jié)構(gòu)的原因。(未知)


10、給出一差分電路,告訴其輸出電壓Y+和Y-,求共模分量和差模分量。(未知)


11、畫差放的兩個(gè)輸入管。(凹凸)


12、畫出由運(yùn)放構(gòu)成加法、減法、微分、積分運(yùn)算的電路原理圖。并畫出一個(gè)晶體管級(jí)的運(yùn)放電路。(仕蘭微電子)


13、用運(yùn)算放大器組成一個(gè)10倍的放大器。(未知)


14、給出一個(gè)簡單電路,讓你分析輸出電壓的特性(就是個(gè)積分電路),并求輸出端某點(diǎn)的rise/fall時(shí)間。(Infineon筆試試題)


15、電阻R和電容C串聯(lián),輸入電壓為R和C之間的電壓,輸出電壓分別為C上電壓和R上電壓,要求制這兩種電路輸入電壓的頻譜,判斷這兩種電路何為高通濾波器,何為低通濾波器。當(dāng)RC<<T時(shí),給出輸入電壓波形圖,繪制兩種電路的輸出波形圖。(未知)


16、有源濾波器和無源濾波器的原理及區(qū)別?(新太硬件)


17、有一時(shí)域信號(hào)S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),當(dāng)其通過低通、帶通、高通濾波器后的信號(hào)表示方式。(未知)


18、選擇電阻時(shí)要考慮什么?(東信筆試題)


19、在CMOS電路中,要有一個(gè)單管作為開關(guān)管精確傳遞模擬低電平,這個(gè)單管你會(huì)用P管還是N管,為什么?(仕蘭微電子)


20、給出多個(gè)mos管組成的電路求5個(gè)點(diǎn)的電壓。(Infineon筆試試題)


21、電壓源、電流源是集成電路中經(jīng)常用到的模塊,請畫出你知道的線路結(jié)構(gòu),簡單描述其優(yōu)缺點(diǎn)。(仕蘭微電子)


22、畫電流偏置的產(chǎn)生電路,并解釋。(凹凸)


23、史密斯特電路,求回差電壓。(華為面試題)


24、晶體振蕩器,好像是給出振蕩頻率讓你求周期(應(yīng)該是單片機(jī)的,12分之一周期....)(華為面試題)


25、LC正弦波振蕩器有哪幾種三點(diǎn)式振蕩電路,分別畫出其原理圖。(仕蘭微電子)


26、VCO是什么,什么參數(shù)(壓控振蕩器?)(華為面試題)


27、鎖相環(huán)有哪幾部分組成?(仕蘭微電子)


28、鎖相環(huán)電路組成,振蕩器(比如用D觸發(fā)器如何搭)。(未知)


29、求鎖相環(huán)的輸出頻率,給了一個(gè)鎖相環(huán)的結(jié)構(gòu)圖。(未知)


30、如果公司做高頻電子的,可能還要RF知識(shí),調(diào)頻,鑒頻鑒相之類,不一一列舉。(未知)


31、一電源和一段傳輸線相連(長度為L,傳輸時(shí)間為T),畫出終端處波形,考慮傳輸線無損耗。給出電源電壓波形圖,要求繪制終端波形圖。(未知)


32、微波電路的匹配電阻。(未知)


33、DACADC的實(shí)現(xiàn)各有哪些方法?(仕蘭微電子)


34、A/D電路組成、工作原理。(未知)


35、實(shí)際工作所需要的一些技術(shù)知識(shí)(面試容易問到)。如電路的低功耗,穩(wěn)定,高速如何做到,調(diào)運(yùn)放,布版圖注意的地方等等,一般會(huì)針對簡歷上你所寫做過的東西具體問,肯定會(huì)問得很細(xì)(所以別把什么都寫上,精通之類的詞也別用太多了),這個(gè)東西各個(gè)人就不一樣了,不好說什么了。(未知)數(shù)字電路


1、同步電路和異步電路的區(qū)別是什么?(仕蘭微電子)


2、什么是同步邏輯和異步邏輯?(漢王筆試)


同步邏輯是時(shí)鐘之間有固定的因果關(guān)系。異步邏輯是各時(shí)鐘之間沒有固定的因果關(guān)系。


3、什么是"線與"邏輯,要實(shí)現(xiàn)它,在硬件特性上有什么具體要求?(漢王筆試)


線與邏輯是兩個(gè)輸出信號(hào)相連可以實(shí)現(xiàn)與的功能。在硬件上,要用oc門來實(shí)現(xiàn),由于不用oc門可能使灌電流過大,而燒壞邏輯門。同時(shí)在輸出端口應(yīng)加一個(gè)上拉電阻。


4、什么是Setup和Holdup時(shí)間?(漢王筆試)


5、setup和holdup時(shí)間,區(qū)別.(南山之橋)


6、解釋setuptime和holdtime的定義和在時(shí)鐘信號(hào)延遲時(shí)的變化。(未知)


7、解釋setup和holdtimeviolation,畫圖說明,并說明解決辦法。(威盛VIA


2003.11.06上海筆試試題)


Setup/holdtime是測試芯片對輸入信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)之間的時(shí)間要求。建立時(shí)間是指觸發(fā)器的時(shí)鐘信號(hào)上升沿到來以前,數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時(shí)間。輸入信號(hào)應(yīng)提前時(shí)鐘上升沿(如上升沿有效)T時(shí)間到達(dá)芯片,這個(gè)T就是建立時(shí)間-Setuptime.如不滿足setuptime,這個(gè)數(shù)據(jù)就不能被這一時(shí)鐘打入觸發(fā)器,只有在下一個(gè)時(shí)鐘上升沿,數(shù)據(jù)才能被打入觸發(fā)器。保持時(shí)間是指觸發(fā)器的時(shí)鐘信號(hào)上升沿到來以后,數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時(shí)間。如果holdtime不夠,數(shù)據(jù)同樣不能被打入觸發(fā)器。


建立時(shí)間(SetupTime)和保持時(shí)間(Holdtime)。建立時(shí)間是指在時(shí)鐘邊沿前,數(shù)據(jù)信號(hào)需要保持不變的時(shí)間。保持時(shí)間是指時(shí)鐘跳變邊沿后數(shù)據(jù)信號(hào)需要保持不變的時(shí)間。如果不滿足建立和保持時(shí)間的話,那么DFF將不能正確地采樣到數(shù)據(jù),將會(huì)出現(xiàn)metastability的情況。如果數(shù)據(jù)信號(hào)在時(shí)鐘沿觸發(fā)前后持續(xù)的時(shí)間均超過建立和保持時(shí)間,那么超過量就分別被稱為建立時(shí)間裕量和保持時(shí)間裕量。


8、說說對數(shù)字邏輯中的競爭和冒險(xiǎn)的理解,并舉例說明競爭和冒險(xiǎn)怎樣消除。(仕蘭微電子)


9、什么是競爭與冒險(xiǎn)現(xiàn)象?怎樣判斷?如何消除?(漢王筆試)


在組合邏輯中,由于門的輸入信號(hào)通路中經(jīng)過了不同的延時(shí),導(dǎo)致到達(dá)該門的時(shí)間不一致叫競爭。產(chǎn)生毛刺叫冒險(xiǎn)。如果布爾式中有相反的信號(hào)則可能產(chǎn)生競爭和冒險(xiǎn)現(xiàn)象。解決方法:一是添加布爾式的消去項(xiàng),二是在芯片外部加電容。


10、你知道那些常用邏輯電平?TTL與COMS電平可以直接互連嗎?(漢王筆試)


常用邏輯電平:12V,5V,3.3V;TTL和CMOS不可以直接互連,由于TTL是在0.3-3.6V之間,而CMOS則是有在12V的有在5V的。CMOS輸出接到TTL是可以直接互連。TTL接到CMOS需要在輸出端口加一上拉電阻接到5V或者12V。


11、如何解決亞穩(wěn)態(tài)。(飛利浦-大唐筆試)


亞穩(wěn)態(tài)是指觸發(fā)器無法在某個(gè)規(guī)定時(shí)間段內(nèi)達(dá)到一個(gè)可確認(rèn)的狀態(tài)。當(dāng)一個(gè)觸發(fā)器進(jìn)入亞穩(wěn)態(tài)時(shí),既無法預(yù)測該單元的輸出電平,也無法預(yù)測何時(shí)輸出才能穩(wěn)定在某個(gè)正確的電平上。在這個(gè)穩(wěn)定期間,觸發(fā)器輸出一些中間級(jí)電平,或者可能處于振蕩狀態(tài),并且這種無用的輸出電平可以沿信號(hào)通道上的各個(gè)觸發(fā)器級(jí)聯(lián)式傳播下去。


12、IC設(shè)計(jì)中同步復(fù)位與異步復(fù)位的區(qū)別。(南山之橋)


13、MOORE與MEELEY狀態(tài)機(jī)的特征。(南山之橋)


14、多時(shí)域設(shè)計(jì)中,如何處理信號(hào)跨時(shí)域。(南山之橋)


15、給了reg的setup,hold時(shí)間,求中間組合邏輯的delay范圍。(飛利浦-大唐筆試)


Delay<period-setup–hold


16、時(shí)鐘周期為T,觸發(fā)器D1的建立時(shí)間最大為T1max,最小為T1min。組合邏輯電路最大延遲為T2max,最小為T2min。問,觸發(fā)器D2的建立時(shí)間T3和保持時(shí)間應(yīng)滿足什么條件。(華為)


17、給出某個(gè)一般時(shí)序電路的圖,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,還有clock的delay,寫出決定最大時(shí)鐘的因素,同時(shí)給出表達(dá)式。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)


18、說說靜態(tài)、動(dòng)態(tài)時(shí)序模擬的優(yōu)缺點(diǎn)。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)


19、一個(gè)四級(jí)的Mux,其中第二級(jí)信號(hào)為關(guān)鍵信號(hào)如何改善timing。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)


20、給出一個(gè)門級(jí)的圖,又給了各個(gè)門的傳輸延時(shí),問關(guān)鍵路徑是什么,還問給出輸入,使得輸出依賴于關(guān)鍵路徑。(未知)


21、邏輯方面數(shù)字電路的卡諾圖化簡,時(shí)序(同步異步差異),觸發(fā)器有幾種(區(qū)別,優(yōu)點(diǎn)),全加器等等。(未知)


22、卡諾圖寫出邏輯表達(dá)使。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)


23、化簡F(A,B,C,D)=m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。(威盛)


24、pleaseshowtheCMOSinverterschmatic,layoutanditscrosssectionwithP-wellprocess.Plotitstransfercurve(Vout-Vin)Andalsoexplainthe operationregionofPMOSandNMOSforeachsegmentofthetransfercurve?(威盛筆試題circuitdesign-beijing-03.11.09)


25、TodesignaCMOSinvertorwithbalanceriseandfalltime,pleasedefine therationofchannelwidthofPMOSandNMOSandexplain?


26、為什么一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的倒相器中P管的寬長比要比N管的寬長比大?(仕蘭微電子)


27、用mos管搭出一個(gè)二輸入與非門。(揚(yáng)智電子筆試)


28、pleasedrawthetransistorlevelschematicofacmos2inputANDgateand explainwhichinputhasfasterresponseforoutputrisingedge.(lessdelay time)。(威盛筆試題circuitdesign-beijing-03.11.09)


29、畫出NOT,NAND,NOR的符號(hào),真值表,還有transistorlevel的電路。(Infineon筆試)


30、畫出CMOS的圖,畫出tow-to-onemuxgate。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)


31、用一個(gè)二選一mux和一個(gè)inv實(shí)現(xiàn)異或。(飛利浦-大唐筆試)


32、畫出Y=A*B+C的cmos電路圖。(科廣試題)


33、用邏輯們和cmos電路實(shí)現(xiàn)ab+cd。(飛利浦-大唐筆試)


34、畫出CMOS電路的晶體管級(jí)電路圖,實(shí)現(xiàn)Y=A*B+C(D+E)。(仕蘭微電子)


35、利用4選1實(shí)現(xiàn)F(x,y,z)=xz+yz’。(未知)


36、給一個(gè)表達(dá)式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少數(shù)量的與非門實(shí)現(xiàn)(實(shí)際上就是化簡)。


37、給出一個(gè)簡單的由多個(gè)NOT,NAND,NOR組成的原理圖,根據(jù)輸入波形畫出各點(diǎn)波形。(Infineon筆試)


38、為了實(shí)現(xiàn)邏輯(AXORB)OR(CANDD),請選用以下邏輯中的一種,并說明為什么?1)INV2)AND3)OR4)NAND5)NOR6)XOR答案:AND(未知)


39、用與非門等設(shè)計(jì)全加法器。(華為)


40、給出兩個(gè)門電路讓你分析異同。(華為)


41、用簡單電路實(shí)現(xiàn),當(dāng)A為輸入時(shí),輸出B波形為…(仕蘭微電子)


42、A,B,C,D,E進(jìn)行投票,多數(shù)服從少數(shù),輸出是F(也就是如果A,B,C,D,E中1的個(gè)數(shù)比0多,那么F輸出為1,否則F為0),用與非門實(shí)現(xiàn),輸入數(shù)目沒有限制。(未知)


43、用波形表示D觸發(fā)器的功能。(揚(yáng)智電子筆試)


44、用傳輸門和倒向器搭一個(gè)邊沿觸發(fā)器。(揚(yáng)智電子筆試)


45、用邏輯們畫出D觸發(fā)器。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)


46、畫出DFF的結(jié)構(gòu)圖,用verilog實(shí)現(xiàn)之。(威盛)


47、畫出一種CMOS的D鎖存器的電路圖和版圖。(未知)


48、D觸發(fā)器和D鎖存器的區(qū)別。(新太硬件面試)


49、簡述latch和filp-flop的異同。(未知)


50、LATCH和DFF的概念和區(qū)別。(未知)


51、latch與register的區(qū)別,為什么現(xiàn)在多用register.行為級(jí)描述中l(wèi)atch如何產(chǎn)生的。(南山之橋)


52、用D觸發(fā)器做個(gè)二分顰的電路.又問什么是狀態(tài)圖。(華為)


53、請畫出用D觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)2倍分頻的邏輯電路?(漢王筆試)


54、怎樣用D觸發(fā)器、與或非門組成二分頻電路?(東信筆試)


55、Howmanyflip-flopcircuitsareneededtodivideby16?(Intel)16分頻?


56、用filp-flop和logic-gate設(shè)計(jì)一個(gè)1位加法器,輸入carryin和current-stage,輸出carryout和next-stage.(未知)


57、用D觸發(fā)器做個(gè)4進(jìn)制的計(jì)數(shù)。(華為)


58、實(shí)現(xiàn)N位JohnsonCounter,N=5。(南山之橋)


59、用你熟悉的設(shè)計(jì)方式設(shè)計(jì)一個(gè)可預(yù)置初值的7進(jìn)制循環(huán)計(jì)數(shù)器,15進(jìn)制的呢?(仕蘭微電子)


60、數(shù)字電路設(shè)計(jì)當(dāng)然必問Verilog/VHDL,如設(shè)計(jì)計(jì)數(shù)器。(未知)


61、BLOCKINGNONBLOCKING賦值的區(qū)別。(南山之橋)


62、寫異步D觸發(fā)器的verilogmodule。(揚(yáng)智電子筆試)


moduledff8(clk,reset,d,q);


inputclk;


inputreset;


input[7:0]d;


output[7:0]q;


reg[7:0]q;


always@(posedgeclkorposedgereset)


if(reset)


q<=0;


else


q<=d;


endmodule


63、用D觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)2倍分頻的Verilog描述?(漢王筆試)


moduledivide2(clk,clk_o,reset);


inputclk,reset;


outputclk_o;


wirein;


regout;


always@(posedgeclkorposedgereset)


if(reset)


out<=0;


else


out<=in;


assignin="out;


assignclk_o=out;


endmodule


64、可編程邏輯器件在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中越來越重要,請問:a)你所知道的可編程邏輯器件有哪些?b)試用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D觸發(fā)器邏輯。(漢王筆試)


PAL,PLD,CPLDFPGA


moduledff8(clk,reset,d,q);


inputclk;


inputreset;


inputd;


outputq;


regq;


always@(posedgeclkorposedgereset)


if(reset)


q<=0;


else


q<=d;


endmodule


65、請用HDL描述四位的全加法器、5分頻電路。(仕蘭微電子)


66、用VERILOG或VHDL寫一段代碼,實(shí)現(xiàn)10進(jìn)制計(jì)數(shù)器。(未知)


67、用VERILOG或VHDL寫一段代碼,實(shí)現(xiàn)消除一個(gè)glitch。(未知)


68、一個(gè)狀態(tài)機(jī)的題目用verilog實(shí)現(xiàn)(不過這個(gè)狀態(tài)機(jī)畫的實(shí)在比較差,很容易誤解的)。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)


69、描述一個(gè)交通信號(hào)燈的設(shè)計(jì)。(仕蘭微電子)


70、畫狀態(tài)機(jī),接受1,2,5分錢的賣報(bào)機(jī),每份報(bào)紙5分錢。(揚(yáng)智電子筆試)


71、設(shè)計(jì)一個(gè)自動(dòng)售貨機(jī)系統(tǒng),賣soda水的,只能投進(jìn)三種硬幣,要正確的找回錢數(shù)。(1)畫出fsm(有限狀態(tài)機(jī));(2)用verilog編程,語法要符合fpga設(shè)計(jì)的要求。(未知)


72、設(shè)計(jì)一個(gè)自動(dòng)飲料售賣機(jī),飲料10分錢,硬幣有5分和10分兩種,并考慮找零:(1)畫出fsm(有限狀態(tài)機(jī));(2)用verilog編程,語法要符合fpga設(shè)計(jì)的要求;(3)設(shè)計(jì)工程中可使用的工具及設(shè)計(jì)大致過程。(未知)


73、畫出可以檢測10010串的狀態(tài)圖,并verilog實(shí)現(xiàn)之。(威盛)


74、用FSM實(shí)現(xiàn)101101的序列檢測模塊。(南山之橋)


a為輸入端,b為輸出端,如果a連續(xù)輸入為1101則b輸出為1,否則為0。


例如a:0001100110110100100110


b:0000000000100100000000


請畫出statemachine;請用RTL描述其statemachine。(未知)


75、用verilog/vddl檢測stream中的特定字符串(分狀態(tài)用狀態(tài)機(jī)寫)。(飛利浦-大唐筆試)


76、用verilog/vhdl寫一個(gè)fifo控制器(包括空,滿,半滿信號(hào))。(飛利浦-大唐筆試)


77、現(xiàn)有一用戶需要一種集成電路產(chǎn)品,要求該產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)如下功能:y=lnx,其中,x為4位二進(jìn)制整數(shù)輸入信號(hào)。y為二進(jìn)制小數(shù)輸出,要求保留兩位小數(shù)。電源電壓為3"5v假設(shè)公司接到該項(xiàng)目后,交由你來負(fù)責(zé)該產(chǎn)品的設(shè)計(jì),試討論該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)全程。(仕蘭微電子)


78、sram,falshmemory,及dram的區(qū)別?(新太硬件面試)


79、給出單管DRAM的原理圖(西電版《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》作者楊頌華、馮毛官205頁圖9-14b),問你有什么辦法提高refreshtime,總共有5個(gè)問題,記不起來了。(降低溫度,增大電容存儲(chǔ)容量)(Infineon筆試)


80、PleasedrawschematicofacommonSRAMcellwith6transistors,pointout whichnodescanstoredataandwhichnodeiswordlinecontrol?(威盛筆試題circuitdesign-beijing-03.11.09)


81、名詞:sram,ssram,sdram


名詞IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR


IRQ:InterruptReQuest


BIOS:BasicInputOutputSystem


USB:UniversalSerialBus


VHDL:VHICHardwareDescriptionLanguage


SDR:SingleDataRate


壓控振蕩器的英文縮寫(VCO)。


動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的英文縮寫(DRAM)。


名詞解釋,無聊的外文縮寫罷了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSIVCO(壓控振蕩器)RAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),F(xiàn)IRIIRDFT(離散傅立葉變換)或者是中文的,比如:a.量化誤差b.直方圖c.白平衡
沙發(fā)
發(fā)表于 2013-10-22 08:31:12 | 只看該作者
復(fù)制下來!!!!!!!!!!我自己好好學(xué)習(xí)!!!!!!!!!!!!

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