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英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協議

發布時間:2009-12-30 17:51    發布者:嵌入式公社
關鍵詞: 導體 , 侵權 , 訴訟 , 協議 , 英飛凌
英飛凌科技股份公司2009年12月29日宣布,該公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月,英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFETIGBT功率晶體管有關的14項專利。

通過廣泛的半導體技術專利交叉許可,雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協議,飛兆半導體將向英飛凌支付許可費,但協議的具體條款和條件保密。

英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院,雙方已經達成和解,并將申請撤訴。

英飛凌目前正在和多家半導體公司進行專利許可談判。英飛凌認為,這些談判對持續保護其知識產權和商業利益至關重要。
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bbw008 發表于 2010-9-16 20:34:54
老外的知識產權保護比較厲害。
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