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MRAM是一種非易失性磁性隨機存儲器。它擁有SRAM存儲芯片的高速讀取寫入能力,以及動態DRAM的高集成度,并可以無限次地重復寫入。MRAM工作的基本原理與硬盤驅動器類似,與在硬盤上存儲數據一樣,數據以磁性的方商為依據,存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性,直到被外界的磁場影響,才會改變這個磁性數據。因為運用磁性薦儲數據,所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由專注于代理銷售Everspin MRAM等存儲芯片供應商介紹如何解決MRAM壽命問題。
在高密度MRAM模塊中會遇到磁介質的不規則漩渦,這種漩渦引起了磁極的老化,甚至導致讀寫錯誤。這也就是說,MRAM的壽命和穩定性會隨著MRAM容量的增加而面臨嚴峻的考驗。為此VERTICAL RING GMRCELLS技術(垂直環繞巨磁阻單元)臨危授命,很明顯VRGC讓磁層有了軟硬之分。大家可不要小看這一簡單的變化,這樣垂直排列的巨磁阻會將不規則漩渦基本消除,很有效地解決了MRAM的老化問題。此外為了加強MRAM的穩定性,避免讀寫錯誤,VRGC技術在每一基本單元額外加入了一對平行字符線,這有點類似目前普遍應用于服務器內存的校驗功能。
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