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對(duì)于特定的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，關(guān)于鐵電RAM為何比串行SRAM更好，有幾個(gè)原因值得一提。以下各節(jié)將介紹其中的一些注意事項(xiàng)。 優(yōu)越的頻率和帶寬 傳統(tǒng)和ULE FRAM都比串行SRAM支持更高的SPI時(shí)鐘頻率。ULE FRAM支持DDR模式，從而充分利用了低引腳輸出MCU。 ULE FRAM的帶寬是當(dāng)前可用串行SRAM的五倍。 ECC數(shù)據(jù)保護(hù) 所有FRAM陣列均受ECC保護(hù)，并提供了附加的控制寄存器來(lái)監(jiān)視ECC錯(cuò)誤。 SRAM沒(méi)有此功能。結(jié)果SRAM可能會(huì)遭受損壞事件，而FRAM會(huì)檢測(cè)到并糾正這些事件。 降低功率 在所有工作條件下，傳統(tǒng)和ULE的FRAM都比串行SRAM消耗更少的有功功率。如果產(chǎn)品以?xún)?nèi)存的有功功率為主導(dǎo)，則FRAM的功耗會(huì)更低。 如果設(shè)計(jì)以空閑功率為主導(dǎo)，則串行SRAM的待機(jī)功耗會(huì)略低，但是ULE FRAM會(huì)實(shí)現(xiàn)更低的其他功耗模式。必須更改軟件才能進(jìn)入這些低功耗狀態(tài)，但是如果使用這些狀態(tài)，則ULE FRAM的空閑功耗可能比串行SRAM低10倍。 符合RoHS的非揮發(fā)性 非易失性是FRAM固有的，但是必須為串行SRAM提供電源才能實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。這可能意味著添加電池，這可能違反RoHS要求，或成為設(shè)計(jì)中的替換問(wèn)題。 易于使用的命令選項(xiàng) ULE FRAM具有比SRAM更豐富的命令集，這些功能可用于提供更輕松的實(shí)現(xiàn)。這些注意事項(xiàng)包括： •可以使用其他模式進(jìn)行傳輸，例如單位命令，但是可以進(jìn)行多位數(shù)據(jù)傳輸 •能夠?qū)Υ鎯?chǔ)陣列的某些部分進(jìn)行寫(xiě)保護(hù)。 •序列號(hào)識(shí)別 這些規(guī)定在串行SRAM中均不可用。 我們已經(jīng)習(xí)慣了SRAM的功能及其為當(dāng)今產(chǎn)品提供的好處。但是事實(shí)證明，還有另一種技術(shù)可以執(zhí)行相同的操作，在許多情況下會(huì)更好。預(yù)先考慮一下，鐵電RAM與串行SRAM可以用來(lái)互相代替，在許多情況下，可以提供更好的性能，更低的功耗以及更可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)環(huán)境。 |
