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繼推出采用EconoDUAL3和Easy封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術之后，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日又推出業(yè)界領先的、基于分立式封裝，即采用電壓為650 V的TO-247封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術。全新TRENCHSTOP產(chǎn)品系列由20 A、30 A、40 A、50 A和75 A這些電流等級組成。它既能用于取代前代技術，也能與前代技術并行使用。該版本的IGBT7尤其適用于工業(yè)電機驅動、功率因數(shù)校正、光伏發(fā)電和不間斷電源等應用。 由于采用新型微溝槽技術，TRENCHSTOP IGBT7芯片的靜態(tài)損耗大大降低。在相同的電流等級下，TRENCHSTOP IGBT7芯片的通態(tài)電壓可以降低10%。這使得應用中的損耗大幅降低，尤其能使通常在中等開關頻率下運行的工業(yè)驅動的損耗大大降低。IGBT T7技術的飽和電壓（V CE(sat)）很低，并帶有發(fā)射極控制的第七代（EC7）二極管，該二極管的正向壓降（V F）可減小150 mV，同時還能提高反向恢復軟度。 TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關損耗。650V TRENCHSTOP IGBT7擁有應用所需的抗短路能力。此外，它還通過了基于JEDEC標準的HV-H3TRB（高壓高濕高溫反偏）試驗，證明該器件在常見的工業(yè)應用的高濕環(huán)境中具有良好的耐用性。 供貨情況 650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式器件現(xiàn)已接受訂購。如欲了解更多信息，敬請訪問https://www.infineon.com/igbt7。 |
