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XRAM是一種新的內存架構，旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM.XRAM使用先進的DRAM技術和自刷新架構來顯著提高內存密度，性能并簡化用戶界面。 XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。星憶存儲代理英尚微電子支持提供例程及產品應用解決方案等產品服務。 特征 •異步XRAM內存 •高速訪問時間 •tAA=10/12納秒 •低有功功率 •ICC=80 mA時為55 mA •低CMOS待機電流 •ISB2=20 mA（典型值） •工作電壓范圍：2.2 V至3.6 V •取消選擇時自動掉電 •TTL兼容的輸入和輸出 •提供44引腳TSOP II，48引腳TSOP I封裝和48焊球FBGA封裝 44引腳TSOP II引腳排列 48引腳TSOP I引腳排列 要寫入設備，請將芯片使能（CE）和寫使能（WE）輸入設為低電平。如果字節低使能（BLE）為低，則來自I / O引腳（DQ0至DQ7）的數據被寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。如果字節高使能（BHE）為低電平，則來自I / O引腳（DQ8至DQ15）的數據將寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設為低電平，同時將寫入使能（WE）設為高電平。如果字節低使能（BLE）為低，則地址引腳指定的存儲器位置中的數據將出現在DQ0至DQ7上。如果字節高使能（BHE）為低，則來自存儲器的數據出現在DQ8到DQ15上。 取消選擇器件（CE），禁用輸出（OE HIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLE HIGH）或以下操作時，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗狀態寫操作（CE和WE LOW）。突發模式引腳（MODE）定義突發序列的順序。當置為高電平時，將選擇交錯的突發序列。當拉低時，選擇線性突發序列。 國產SRAM XM8A系列型號表 
XM8A51216V33(8M).pdf
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