串行MRAM消耗的能量
發布時間：2020-9-4 13:46
發布者：
宇芯電子
MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯上組織為32Kx8的存儲器陣列。 SPI）總線。串行MRAM實現了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機和運行能力以及更可靠的數據保留。
對于MRAM，基于Everspin Technologies的256kb串行SPI MRAM MR25H256進行評估。表3顯示，當使用去耦電容器的所有能量時，每個數據字節的能量最低。應選擇去耦電容的大小，以匹配系統通常獲取的數據量。
-μF電容器允許以40 MHz在SPI總線上寫入50字節（46個數據字節），而MRAM消耗27 mA。此計算是使用46個字節進行比較的來源。
MCU和LDO消耗的能量
對于MCU，可能需要100μs的時間才能喚醒，進行測量，并將結果傳達給非易失性存儲器并進行必要的內部管理。在此期間，我們假設有功電流消耗為500μA（運行于約5 MHz的小型MCU的典型值）。因此，每次數據采集消耗的能量為3.3 V×500μA×100μs= 0.165μJ。
除了進行采集的能量外，我們還應考慮在非易失性存儲器寫入期間保持MCU處于活動狀態所需的能量。當不獲取或存儲數據時，MCU處于休眠狀態，消耗5μA電流。假定電源為一個LDO，在所有操作階段（活動和睡眠）均消耗1μA電流。
Everspin串行MRAM
型號 | 容量 | 位寬 | | 溫度 | 封裝 | MOQ /托盤 | MOQ /卷帶 | MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
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宇芯電子 發表于
2020-9-4 13:47:11
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串行MRAM實現了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機和運行能力以及更可靠的數據保留。 |
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宇芯電子 發表于
2020-9-4 13:48:03
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對于MRAM，基于Everspin Technologies的256kb串行SPI MRAM MR25H256進行評估。當使用去耦電容器的所有能量時，每個數據字節的能量最低。應選擇去耦電容的大小，以匹配系統通常獲取的數據量。 |
