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切換(或場驅(qū)動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴展到更高的密度，需要更低的能量寫比切換MRAM。2019年已發(fā)運大部分MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案. 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球鑄造廠、英特爾、三星和TSMC。 STT-MRAM有很高的性能，但不如最快的靜態(tài)隨機存取存儲器快。然而一種被稱為自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)的MRAM技術(shù)有潛力匹配靜態(tài)隨機存儲器的性能。 磁性隨機存取存儲器(場或自旋器件)使用一個選擇晶體管作為存儲單元，見下圖1。MRAM單元可以具有專用晶體管，或者該晶體管可以在兩個存儲單元之間共享。在用于MRAM生產(chǎn)之前，必須在晶片上創(chuàng)建特定的選擇晶體管設(shè)計。 圖1 MRAM記憶細胞 目前MRAM軟件技術(shù)正在世界各地的實驗室中開發(fā)，但是隨著STT-MRAM產(chǎn)品成本的降低，無論是嵌入式產(chǎn)品還是獨立產(chǎn)品，MRAM軟件技術(shù)都可能成為MRAM取代最快的靜態(tài)隨機存取存儲器應(yīng)用的手段，提供更高的非易失性存儲器密度，從而支持非常低功耗的物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用。 Everspin代理MRAM
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| STT-MRAM有很高的性能，但不如最快的靜態(tài)隨機存取存儲器快。然而一種被稱為自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)的MRAM技術(shù)有潛力匹配靜態(tài)隨機存儲器的性能。 |
