今年3月,中國電科(山西)碳化硅材料產業基地在山西轉型綜合改革示范區正式投產,第一批設備正式啟動。基地一期項目可容納600臺碳化硅單晶生長爐,項目建成后將具備年產10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產能力,是目前國內最大的碳化硅材料產業基地。這一基地的啟動,將徹底打破國外對我國碳化硅封鎖的局面,實現碳化硅的完全自主供應。 在基地的碳化硅生產車間,白色的長晶爐一字排開,碳化硅晶片正在里面安靜生長。李斌介紹:“現在,咱們所使用的粉料合成設備、長晶爐,都是自己研發、自己生產的全國產化的設備。設備的配套產品和功能元器件能滿足長期、穩定、可靠使用的要求,同時節能效果好,具有連續工作高穩定性和良好精度保持性! 對于國內半導體領域來說,產業化規模效應,不僅降低了碳化硅晶片的成本,也不斷促使碳化硅晶片質量提升。據李斌介紹,目前國際上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%,而原來國內實驗室生產的碳化硅晶片的合格率僅有30%。但在碳化硅產業基地,這個合格率可以達到65%。 實現這樣高的合格率,一個是靠先進的設備,一個是靠管理。毛開禮介紹:“我們把所有的工藝分成若干段,增加了大量的一線工人,每段每個人只干這一件事情,不僅效率會提高,而且出錯率也大幅降低,因為原來一個人要參與前前后后大概有三四十道工序,不利于專業化,出錯率就會很高! 目前,基地已經實現4英寸晶片的大批量產,6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經開始工程化驗證,為客戶提供小批量的產品試用,預計年底達到產業化應用與國際水平相當。展望未來,李斌信心滿滿地說,“在碳化硅領域,我們要緊跟國際的腳步,因為目前我國在第三代半導體材料上跟國際的差距相對較小,我們要保證不能掉隊。習近平總書記說過,核心技術靠化緣是要不來的。在關鍵領域、卡脖子的地方要下大功夫,F在我們在實現迅速研發的同時也進一步開展量產,三年內整個項目要達到18萬片每年的產能。另外,我們目前在進行8英寸晶片的研究,希望三年之后,我們能有8英寸的樣片出來。因為晶片是整個碳化硅產業鏈的上游,要走到器件研究的前面! |