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Xilinx 提供了UltraScale FPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達2400Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構，可支持大量I/O和超大存儲帶寬，并能夠大幅降低功耗和時延。賽靈思穩(wěn)定可靠的內(nèi)存解決方案可加速設計進程，并增加了對DDR4接口的支持。 UltraScale FPGA器件中的新增DDR4內(nèi)存接口可提供超過1Tb/s的存儲帶寬，能夠滿足視頻成像與處理、流量管理和高性能計算等重要應用領域新一代前沿系統(tǒng)設計對海量數(shù)據(jù)流快速處理以及海量內(nèi)存的需求。從DDR3升級為DDR4后，應用的讀取時延減少了30%，而且在相同數(shù)據(jù)速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是，從每秒1866 Mb的DDR3升級到每秒2400 Mb的DDR4后，不僅提升了30%的數(shù)據(jù)速率，同時還能削減20%的功耗。 這些DDR4內(nèi)存接口經(jīng)過嚴格系統(tǒng)條件下(例如變化的電壓和溫度、系統(tǒng)抖動)高難度數(shù)據(jù)模式的測試，可確保為實際系統(tǒng)部署預留工作裕量。賽靈思的SelectlO接口符合UMI 32位 DDR4 SDRAM標準,賽靈思的SelectlO接口符合UMI 32位 DDR4 SDRAM標準,UMI UD408G5S1AF 256Mx32 8Gb DDR4 SDRAM密度為8Gb，數(shù)據(jù)速率為3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps。商業(yè)工作溫度范圍為0℃至+95℃，工業(yè)工作溫度范圍-40℃至+95℃。支持應用在UltraScale FPGA器件中有助于確保獲得最大時序裕量。為保證最佳信號完整性, I/O技術還包括傳輸預加重、接收均衡、低抖動時鐘和噪聲隔離設計技術。英尚微電子支持DDR4SDRAM內(nèi)存接口送樣及測試。 |
