MCU系統(tǒng)中Iot RAM的潛在應(yīng)用

發(fā)布時間：2020-3-27 14:52 發(fā)布者：英尚微電子

關(guān)鍵詞： MCU系統(tǒng) , Iot RAM , AP Memory

我們來看一下MCU設(shè)計中的情況，其中IoT RAM明顯比外部DRAM具有優(yōu)勢。在下面的通用MCU圖中，工作/靜態(tài)存儲器部分越來越需要擴(kuò)展。在整個工作空間中使用DRAM會增加系統(tǒng)的功耗，并需要集成刷新控制器。

通過用IoT ram替換DRAM，消除了對外部刷新控制器的需求，這降低了接口的復(fù)雜性和相關(guān)的驗證成本，利用了外部SPI接口的使用，同時保持了最新IoT應(yīng)用程序所要求的高性能水平，并降低整個系統(tǒng)的功耗。有些基于MCU的舊系統(tǒng)仍在使用SDRAM，在降低功耗和簡化接口方面，可以受益于IoT RAM的使用。下表清楚顯示了待機(jī)電流和有功電流的優(yōu)點，同時保持了相當(dāng)?shù)膫鬏斔俾省?/font>

圖1具有常見內(nèi)存使用情況的典型基于MCU的系統(tǒng)

AP內(nèi)存–滿足當(dāng)今物聯(lián)網(wǎng)內(nèi)存需求的可靠合作伙伴

AP Memory與許多領(lǐng)先的MCU，SoC和FPGA供應(yīng)商合作，為客戶提供優(yōu)化的解決方案，并且在啟用簡化信號協(xié)議（QSPI，OPI，ADMUX）和IoT/Edge產(chǎn)品的軟件包選項，如下表所示。AP Memory還提供了業(yè)界最廣泛的IoT RAM密度選擇，可滿足各種功率/性能和帶寬要求。自成立以來的AP Memory一直保持著領(lǐng)導(dǎo)地位。

AP Memory還提供許多基于JEDEC低功耗DRAM和專用DRAM的存儲解決方案，并且是Xccela聯(lián)盟的創(chuàng)始成員。隨著客戶對IoT /嵌入式應(yīng)用的需求越來越大，AP Memory已準(zhǔn)備好與其他MCU / SoC / FPGA供應(yīng)商合作。

·QSPI可以連接到現(xiàn)有的Quad SPI NOR接口。

·OSPI DDR與Xccela聯(lián)盟協(xié)議和OctaRam兼容。

對更豐富的IoT /嵌入式應(yīng)用程序的需求推動了對更多處理能力，更高板載內(nèi)存和增加連接帶寬的需求，同時又保持了生產(chǎn)成本效率。AP Memory的產(chǎn)品組合非常適合擴(kuò)展嵌入式/ IoT體驗，從而有助于創(chuàng)造更美麗的世界。

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-579901-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉(zhuǎn)載或網(wǎng)友發(fā)布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé)；文章版權(quán)歸原作者及原出處所有，如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求，第一時間更正或刪除。