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我們來(lái)看一下MCU設(shè)計(jì)中的情況，其中IoT RAM明顯比外部DRAM具有優(yōu)勢(shì)。在下面的通用MCU圖中，工作/靜態(tài)存儲(chǔ)器部分越來(lái)越需要擴(kuò)展。在整個(gè)工作空間中使用DRAM會(huì)增加系統(tǒng)的功耗，并需要集成刷新控制器。 通過(guò)用IoT ram替換DRAM，消除了對(duì)外部刷新控制器的需求，這降低了接口的復(fù)雜性和相關(guān)的驗(yàn)證成本，利用了外部SPI接口的使用，同時(shí)保持了最新IoT應(yīng)用程序所要求的高性能水平，并降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗。有些基于MCU的舊系統(tǒng)仍在使用SDRAM，在降低功耗和簡(jiǎn)化接口方面，可以受益于IoT RAM的使用。下表清楚顯示了待機(jī)電流和有功電流的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)保持了相當(dāng)?shù)膫鬏斔俾省?/font> 圖1具有常見(jiàn)內(nèi)存使用情況的典型基于MCU的系統(tǒng) AP內(nèi)存–滿足當(dāng)今物聯(lián)網(wǎng)內(nèi)存需求的可靠合作伙伴 AP Memory與許多領(lǐng)先的MCU，SoC和FPGA供應(yīng)商合作，為客戶提供優(yōu)化的解決方案，并且在啟用簡(jiǎn)化信號(hào)協(xié)議（QSPI，OPI，ADMUX）和IoT/Edge產(chǎn)品的軟件包選項(xiàng)，如下表所示。AP Memory還提供了業(yè)界最廣泛的IoT RAM密度選擇，可滿足各種功率/性能和帶寬要求。自成立以來(lái)的AP Memory一直保持著領(lǐng)導(dǎo)地位。 AP Memory還提供許多基于JEDEC低功耗DRAM和專用DRAM的存儲(chǔ)解決方案，并且是Xccela聯(lián)盟的創(chuàng)始成員。隨著客戶對(duì)IoT /嵌入式應(yīng)用的需求越來(lái)越大，AP Memory已準(zhǔn)備好與其他MCU / SoC / FPGA供應(yīng)商合作。 ·QSPI可以連接到現(xiàn)有的Quad SPI NOR接口。 ·OSPI DDR與Xccela聯(lián)盟協(xié)議和OctaRam兼容。 對(duì)更豐富的IoT /嵌入式應(yīng)用程序的需求推動(dòng)了對(duì)更多處理能力，更高板載內(nèi)存和增加連接帶寬的需求，同時(shí)又保持了生產(chǎn)成本效率。AP Memory的產(chǎn)品組合非常適合擴(kuò)展嵌入式/ IoT體驗(yàn)，從而有助于創(chuàng)造更美麗的世界。 |
| 英尚微電子作為AP Memory一級(jí)代理商,為各行業(yè)領(lǐng)域提供優(yōu)質(zhì)可靠的IoT RAM、PSRAM等存儲(chǔ)芯片，并提供樣品及產(chǎn)品解決方案. |
| 通過(guò)用IoT ram替換DRAM，消除了對(duì)外部刷新控制器的需求，這降低了接口的復(fù)雜性和相關(guān)的驗(yàn)證成本，利用了外部SPI接口的使用，同時(shí)保持了最新IoT應(yīng)用程序所要求的高性能水平，并降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗。 |
| 有些基于MCU的舊系統(tǒng)仍在使用SDRAM，在降低功耗和簡(jiǎn)化接口方面，可以受益于IoT RAM的使用。下表清楚顯示了待機(jī)電流和有功電流的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)保持了相當(dāng)?shù)膫鬏斔俾省?/td> |
